宮川 宣明 | 諏訪東理大・機械システム
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概要
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宮川 宣明
諏訪東理大・機械システム
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東理大・理
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東理大基礎工
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Argonne国立研
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宮川 宣明
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Argonne National Laboratory
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宮川 宜明
諏訪東理大システムエ
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Zasadzinski J.F
Argonne National Laboratory
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Naval Research Laboratory
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Ozyuzer L
Argonne National Laboratory:Izmir Institute of Technology
著作論文
- 19pTG-4 プラズマCVDおよびCat-CVDによるSiCの低温成長機構(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 02aB07 Cat-CVDによるμc-SiC膜の低温成長と成長機構(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 28pXJ-2 Cat-CVDによるμc-SiCの低温成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17aB08 モノメチルシランを用いたCat-CVD法による微結晶SiCの低温成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB09 低圧Cat-CVD法による3C-SiC薄膜成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB10 Plasma CVDおよびCat-CVDによるSiC薄膜の成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 27aXC-6 非晶質水素化並びに多結晶シリコンカーバイド膜の光学ギャップ(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25pB04 通電加熱シリコン基板へのガス・クラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- 12pXG-8 RF プラズマ CVD 法における a-SiC; H 膜の光学ギャップ(結晶成長, 領域 9)
- 29pWP-2 通電加熱シリコン基板へのガスクラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(結晶成長)(領域9)
- RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の水素量と成長カイネテイクス(半導体薄膜・表面)
- LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程 : エピキタシャル成長IV
- 17aTF-11 LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程
- 17aTE-3 アンダードープBi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル分光
- 17aTE-2 Bi_2Sr_2CaCu_2O_のトンネルスペクトル上のdip構造とResonance Spin Excitationとの関係
- 28aTA-4 プラズマCVD法によるシリコンカーバイド薄膜のFTIRと生成機構
- 28pPSA-20 Bi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル伝導度のdoping依存性 : 酸素量及びLa含有量の効果
- 24pSG-8 トンネル分光法によるBi_2Sr_La_xCuO_の超伝導ギャップのdoping依存性
- 23aPS-20 Bi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成及びその輸送特性
- 酸素量を制御されたBi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成 : バルク成長VI
- 24aPS-10 多層系銅酸化物の超伝導ギャップのドーピング依存性(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aPS-22 TlBa_2Ca_2Cu_3O_のトンネル伝導度の温度依存性(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-47 Bi2201のトンネル分光
- La-doped Bi22010の単結晶育成とその評価
- 28aWA-3 多層系銅酸化物 TIBa_2Ca_2Cu_3O_ 及び (Cu, C)Ba_2Cu_3Cu_4O_ のトンネル分光
- 23aTR-10 多層系銅酸化物超伝導体の 2 ギャップ構造 : トンネルコンダクタンスの温度依存性より
- Bi2212のトンネル分光法によるフォノン構造の再現性II
- 23aB12 シリコンカーバイドCVD過程における2サイト競合吸着モデル(エピタキシャル成長II)
- 26a-P-5 モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド膜の生成機構
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデルII : 気相成長III
- MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
- モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜 : 気相成長III
- 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデル
- MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光
- 21aYC-4 RF プラズマ CVD 法における a-SiC 膜の FTIR による水素定量とピークシフト
- RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜の生成機構
- MTSを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜機構 : 薄膜
- 26a-PS-32 Bi2212トンネル接合のゼロバイアスコンダクタンスの温度依存性
- 24aZJ-4 トンネルスペクトルに観測された高エネルギー構造(Dip / Hump)の考察
- 23aPS-36 ドープ量を制御されたBi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成及びトンネル分光
- 27aJ-14 CuBa_2Ca_3Cu_4O_yの準粒子トンネル分光
- 24pZ-2 シリコンカーバイドのプラズマCVD過程における発光の空間分布と生成機構
- 23pB1 単一ソースRFプラズマCVD法によるa-SiC薄膜の生成機構(気相成長V)
- 26a-YF-5 Bi_2Sr_2CaCu_2O_のトンネルスペクトルのdoping依存性
- 6pPSA-25 過剰ドープされたBi2Sr2CaCu2O8+xのトンネル分光研究(高温超伝導,領域8)