山崎 弘祥 | 東理大・理

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• 宮川 宣明

  諏訪東理大・機械システム

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著作論文

• 26a-P-5 モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド膜の生成機構
• モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜 : 気相成長III
• 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
• MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光
• 24pZ-2 シリコンカーバイドのプラズマCVD過程における発光の空間分布と生成機構
• 23pB1 単一ソースRFプラズマCVD法によるa-SiC薄膜の生成機構(気相成長V)

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