MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光
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概要
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The plasma CVD process of silicon carbide is investigated by OES(Optical Emission Spectroscopy). OES can determine activated and ionized atoms and molecules in gas phase without disturbing the plasma.The process of the film growth is explained from the bond energies of MTS and the determination of existing species in the plasma.
- 1997-07-01
著者
-
金子 聰
東理大・理
-
宮川 宣明
諏訪東理大・機械システム
-
山田 大輔
東理大・理・応物
-
宮川 宣明
東理大理応物
-
曾根 逸人
理研:群大工
-
金子 聰
東理大理応物
-
曾根 逸人
東理大理応物
-
山崎 弘祥
東理大理応物
-
山田 大輔
東理大理応物
-
曽根 逸人
理研
-
山崎 弘祥
東理大・理
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