23pB2 RFプラズマCVD法によるa-SiCの成膜及び赤外分光法による評価(気相成長V)
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概要
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a-SiC: H was deposited on Si (100) substrates by Plasma CVD. The bonding structures in this film were analyzed using FT-IR, and the crystal structure were analyzed by x-ray diffraction. Ln this result, a-SiC began to crystallize to 3C-SiC at 1300℃ for after-annealing of one hour.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
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