25pB04 通電加熱シリコン基板へのガス・クラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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Low temperature growth of 3C-SiC has been studied by LPCVD. At 720-760℃ it was grown from MMS (monomethylsilane) on Si (111) 4° off substrate, which was heated by direct current. 10^<-8> Torr of MMS was introduced in a chamber with a pressure of 10^<-8> Torr through a gas cracking furnace. At the substrate temperature of 760℃ high crystallinity was reached.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
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