26aC13 RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の成長機構;総括(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
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概要
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Our studies are reviewed briefly about a-SiC; H growth by plasma enhabced CVD from MTS (methyltrichrolosilane) and MMS (monomethylsilane). These sources include one atom each of silicon and carbon but the film composition can be controlled by plasma power density. Optical emission and adsorption spectroscopy revealed that SiH_2 rate-controlled the deposition process. FTIR of the films indicated the hydrogen content and incorporation scheme of the films.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
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