28pXJ-2 Cat-CVDによるμc-SiCの低温成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 金子 聰

  東理大・理

• 宮川 宣明

  諏訪東理大・機械システム

• 長田 英樹

  東理大・理

• 菅 俊祐

  東理大・理

• 金子 聡

  東京理科大学理学部応用物理学科

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