長田 英樹 | 東理大・理
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概要
関連著者
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金子 聰
東理大・理
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宮川 宣明
諏訪東理大・機械システム
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長田 英樹
東理大・理
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金子 聡
東京理科大学理学部応用物理学科
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菅 俊介
東理大・理
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泰井 まどか
東理大・理
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菅 俊祐
東理大・理
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小野 亜樹子
東理大・理
著作論文
- 19pTG-4 プラズマCVDおよびCat-CVDによるSiCの低温成長機構(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 02aB07 Cat-CVDによるμc-SiC膜の低温成長と成長機構(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 28pXJ-2 Cat-CVDによるμc-SiCの低温成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17aB09 低圧Cat-CVD法による3C-SiC薄膜成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)