17aB09 低圧Cat-CVD法による3C-SiC薄膜成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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3C-SiC growth on Si(111)4° off substrates have been performed by low pressure Cat-CVD. The substrate temperature was changed from 700℃ to 760℃ by electric current heating. Monomethylsilane (MMS) was introduced in a chamber with back pressure of 10^<-8> Torr as a source gas. The effect of filament was analyzed by quadrupole mass spectrometer (QMS).
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
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