金子 聡 | 東京理科大学理学部応用物理学科

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概要

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関連著者

• 金子 聡

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 金子 聰

  東理大・理

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  東理大理&理工

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  産総研

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  産総研

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• 宮川 宣明

  東京理科大

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著作論文

• 19pTG-4 プラズマCVDおよびCat-CVDによるSiCの低温成長機構(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 02aB07 Cat-CVDによるμc-SiC膜の低温成長と成長機構(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
• 28pXJ-2 Cat-CVDによるμc-SiCの低温成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 17aB08 モノメチルシランを用いたCat-CVD法による微結晶SiCの低温成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
• 17aB09 低圧Cat-CVD法による3C-SiC薄膜成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
• 17aB10 Plasma CVDおよびCat-CVDによるSiC薄膜の成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
• 25pB04 通電加熱シリコン基板へのガス・クラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
• 12pXG-8 RF プラズマ CVD 法における a-SiC; H 膜の光学ギャップ(結晶成長, 領域 9)
• 29pWP-2 通電加熱シリコン基板へのガスクラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(結晶成長)(領域9)
• RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の水素量と成長カイネテイクス(半導体薄膜・表面)
• LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程 : エピキタシャル成長IV
• 17aTF-11 LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程
• 24aPS-10 多層系銅酸化物の超伝導ギャップのドーピング依存性(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aPS-22 TlBa_2Ca_2Cu_3O_のトンネル伝導度の温度依存性(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pPSA-11 多層系銅酸化物HgBa_2Ca_2Cu_3O_y及びBa_2Ca_3Cu_4O_8(O_F_x)_2のトンネル分光(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28aWA-3 多層系銅酸化物 TIBa_2Ca_2Cu_3O_ 及び (Cu, C)Ba_2Cu_3Cu_4O_ のトンネル分光
• 21pYG-6 Ba_2Ca_3Cu_4O_8(O_F_x)_2のトンネル分光(高温超伝導(トンネル分光,面間輸送),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aC13 RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の成長機構;総括(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
• 28aPS-17 多層系銅酸化物超伝導体のトンネル分光(領域8 ポスターセッション)(領域8)
• 23aTR-10 多層系銅酸化物超伝導体の 2 ギャップ構造 : トンネルコンダクタンスの温度依存性より
• 不純物BiによりVLS成長したZn結晶のモルフォロジーの特異性

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