RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の水素量と成長カイネテイクス(半導体薄膜・表面)
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概要
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The growth kinetics of hydrogenated amorphous silicon carbide films was investigated using the RF plasma CVD system with parallel electrodes. Monometylsilane were used with a hydrogen carrier gas. FTIR of the films revealed quantitatively the hydrogen content. It is conclusive that atomic hydrogen and SiH_2 Serve multiply incorporation of hydrogen to the films.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
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