23pB1 単一ソースRFプラズマCVD法によるa-SiC薄膜の生成機構(気相成長V)
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概要
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Plasma CVD of silicon carbide was carried out from MTS or MMeSi. Its growth kinetics was investigated on the point of view of plasma reaction and optical emission spectroscopy for the precursor. Each source material indicates the different precursor and the composition of the films can be controlled by plasma power density.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
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