宮川 宜明 | 東理大・理・応物
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概要
関連著者
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金子 聰
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著作論文
- プラズマCVD法によるa-SiC薄膜の赤外分光II : 気相成長
- 23pB2 RFプラズマCVD法によるa-SiCの成膜及び赤外分光法による評価(気相成長V)
- 23pB1 単一ソースRFプラズマCVD法によるa-SiC薄膜の生成機構(気相成長V)
- 23pA1 FZ法によるLa-doped Bi2201単結晶の育成(バルク成長V)