MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
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概要
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Silicon carbide thin films are deposited on silicon single crystal substrates by CVD using CH_3SiCl_3(MTS) as a source. The orientation of films are analyzed by X-ray Diffraction and it is found that the orientation depends on the film thickness.
- 1998-07-01
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