宮川 宣明 | 東理大・理
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概要
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宮川 宣明
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那珂 通裕
東理大・理・応物:(現)日本原子力研究所
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金子 總
東理大・理
著作論文
- 30aTG-5 遷移金属カルコゲナイドFeSeの構造評価(30aTC 鉄砒素超伝導体5(中性子,NMR),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aPS-122 FeSe超伝導体の単結晶作成の試み(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 27pTC-11 気相法により成長したFeSe結晶の構造と物性(27pTC 鉄砒素超伝導体2(物質探索,輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pTC-10 FeSe超伝導体の焼結温度依存性(27pTC 鉄砒素超伝導体2(物質探索,輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pPSA-65 Sr_2Ru_Zr_xO_4のゼーベック効果(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pPSB-13 鉄ニクタイド系超伝導体NdFeAsO_のトンネル伝導度のドーピング依存性(20pPSB 領域8ポスターセッション(低温III(鉄系超伝導体)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程 : エピキタシャル成長IV
- 17aTE-3 アンダードープBi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル分光
- 28aTA-4 プラズマCVD法によるシリコンカーバイド薄膜のFTIRと生成機構
- 28pPSA-20 Bi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル伝導度のdoping依存性 : 酸素量及びLa含有量の効果
- 23aPS-20 Bi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成及びその輸送特性
- 酸素量を制御されたBi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成 : バルク成長VI
- 24aPS-47 Bi2201のトンネル分光
- 23aB12 シリコンカーバイドCVD過程における2サイト競合吸着モデル(エピタキシャル成長II)
- 26a-P-5 モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド膜の生成機構
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデルII : 気相成長III
- MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
- モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜 : 気相成長III
- 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
- RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜の生成機構
- MTSを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜機構 : 薄膜
- MTS (CH_3SiC1_3)を用いたRFプラズマCVD法によるSiCの成膜 : 無機結晶II
- 23aPS-36 ドープ量を制御されたBi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成及びトンネル分光
- 24pZ-2 シリコンカーバイドのプラズマCVD過程における発光の空間分布と生成機構
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドの CVD 成長過程のその場観察 : 薄膜
- 単一ソース(MTS)による3C-SiCのCVD成長 : 無機結晶II
- 熱重量法によるCVD過程の研究 (III) : 無機結晶II
- 熱重量法によるCVD過程の研究(II) : 気相成長III
- 27aC2 熱重量法によるCVD過程の研究(1)(気相成長I)
- 27aC1 シリコンカーバイド熱CVD過程の温度変化(気相成長I)
- 7aSN-6 シリコンカーバイドの低圧CVD法におけるソースガス・クラッキング効果(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)