曾根 逸人 | 東理大・理・応物
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概要
関連著者
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金子 聰
東理大・理
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宮川 宣明
諏訪東理大・機械システム
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宮川 宣明
東理大・理
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曾根 逸人
理研:群大工
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曾根 逸人
東理大・理・応物
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山崎 弘祥
東理大・理・応物
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曽根 逸人
理研
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山崎 弘祥
東理大・理
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山田 大輔
東理大・理・応物
著作論文
- 23aB12 シリコンカーバイドCVD過程における2サイト競合吸着モデル(エピタキシャル成長II)
- 26a-P-5 モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド膜の生成機構
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデルII : 気相成長III
- MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
- モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜 : 気相成長III
- 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光