山田 大輔 | 東理大・理・応物

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著作論文

• MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
• 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
• MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光

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