7aSN-6 シリコンカーバイドの低圧CVD法におけるソースガス・クラッキング効果(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-08-13

著者

• 宮川 宣明

  東理大・理

• 藤山 雄一郎

  東理大・理

• 金子 總

  東理大・理

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