02aB07 Cat-CVDによるμc-SiC膜の低温成長と成長機構(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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Low temperature Growth of microcrystalline SiC (μc-SiC) films by Cat-CVD (hot-filament catalysis) and growth mechanism are discussed related to hydrogen reactions. It grows on the silicon substrate of the temperature, 300℃.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
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