17aB08 モノメチルシランを用いたCat-CVD法による微結晶SiCの低温成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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Polycrystalline SiC films have been successfully grown by catalytic CVD from monomethylsilane at the substrate temperature, 300[℃]. FT-IR spectra of obtained films show mainly Si-C bond absorption on optimum condition and glancing angle XRD indicates a 3C-SiC main peak.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
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