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菅 俊祐 | 東理大・理
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東理大・理の論文著者
関連著者
金子 聰
東理大・理
宮川 宣明
諏訪東理大・機械システム
菅 俊祐
東理大・理
金子 聡
東京理科大学理学部応用物理学科
長田 英樹
東理大・理
細川 雄一郎
東理大・理
著作論文
28pXJ-2 Cat-CVDによるμc-SiCの低温成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
17aB08 モノメチルシランを用いたCat-CVD法による微結晶SiCの低温成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
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