中山 知信 | 理研
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概要
関連著者
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中山 知信
理研
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青野 正和
理研
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姜 春生
Texas大
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橋本 克之
理化学研究所
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姜 春生
理研
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桑原 祐司
理研
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片山 光浩
理化学研究所表面界面工学研究室
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片山 光浩
理研
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橋本 克之
理研
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吉澤 正人
岩手大工
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江口 豊明
東大物性研:アウクスブルグ大
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江口 豊明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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江口 豊明
早大理工
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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奥田 太一
東大物性研
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吉本 則之
岩手大工
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寺部 一弥
無機材質研
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
物材機構mana
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武内 一夫
独立行政法人 理化学研究所
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櫻井 亮
物材機構MANA
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寺部 一弥
ナノマテリアル研究所
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寺部 一弥
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
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新ヶ谷 義隆
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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青野 正和
理研 青野原子制御表面プロジェクト
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武内 一夫
理研
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田中 啓文
自然科学研究機構・分子科学研究所・分子スケールナノサイエンスセンター
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田中 啓文
理研
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新ヶ谷 義隆
理研
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寺部 一弥
理研・科技団
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櫻井 亮
理研
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C.F McConville
Warwick大
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尾上 順
理研
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寺部 一弥
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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中辻 寛
理研
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橋本 克之
埼玉大理工
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Thirstrup C.
Vir-tech
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大坂 敏明
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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山口 一郎
理研・光工学
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吉信 淳
理研
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長谷川 剛
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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原 正彦
理研 分子素子
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宇田 応之
早大理工
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原 正彦
東工大・総合理工
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諏訪 裕
早大理工
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大坂 敏明
早大理工
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大坂 敏明
早大理工:早大材研
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部
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原 正彦
理研
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野村 英一
新技団青野プロジェクト
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大坂 敏明
早稲田大 理工
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高見 知秀
ワシントン州立大
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高見 知秀
理研
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福士 大地
早大理工
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中村 淳
理研
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中山 知信
物材機構mana:筑波大院
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小林 伸彦
理研
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奥田 太一
理研
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長谷川 剛
理研・科技団
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山口 一郎
理研
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Selva G
理研
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McConville C.F.
Warwick大
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C Thistrup
理研
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Thirstrup C
理研
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宇田 応之
早稲田大学理工学部材料工学科
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小林 伸彦
筑波大学物理工学系
著作論文
- 23pWB-5 二探針STM法によるSi(111)表面電気抵抗計測 : 探針間距離依存性
- 27a-PS-17 ダブルティップ走査トンネル顕微鏡II
- 19aRH-13 二探針STM法によるSi(001)表面上のErSi_2ナノワイヤの電気伝導測定
- 31p-S-3 Si(001)表面上のGe成長におけるサーファクタント被覆率依存性
- 29a-WB-5 CaF/Si(111) の成長と欠陥形成の機構 : STMによる観察
- 15a-DJ-7 Si(111)1x1-CaF表面におけるSTM観察
- 30p-G-10 Si(001)表面上のGeのサーファクタント媒介エピタキシー : CAICISSによるリアルタイム観察・制御
- 27a-ZS-7 Si(111)金属吸着表面上のGe成長 : CAICISSによるリアルタイム追跡
- 30a-H-5 Si(111)√3×√3-Au表面のSTMによる観察
- 31a-Q-5 C-単層膜中における光重合C-二量体および三量体の非対称電子密度分布 : STM/STSによる検討
- 26p-YM-3 C_単分子層膜におけるC_-C_重合反応 : STMによる実空間観察
- 6a-B-8 有機導体単結晶のSTM探針への応用II
- 31p-T-12 有機伝導体のSTM探針への応用
- 31p-T-6 III-V族化合物半導体表面上でのSTMによる原子操作
- Ag/GaAs(110)表面のSTM/STS測定
- 3p-K-3 STM探針による原子移動と原子付与
- 31a-J-3 Sn吸着InSb(111)A表面のSTMによる研究
- 28a-S-6 Si表面上金属原子のSTMによる操作
- 5a-B-7 水素終端Si(001)表面を用いたSTMによる原子操作
- 31p-T-5 水素終端Si(001)表面での原子操作
- 28pYQ-6 固体電気化学反応を用いた量子ポイントコンタクトスイッチ
- 25p-YR-9 有機導体(BEDT-TTF)_2I_3表面のSTMによる評価
- STMによる表面弾性波の測定
- 9aSE-2 タングステン単結晶表面上のカーボンナノチューブの成長(成長,構造,ガス吸着,領域7)