長谷川 剛 | 物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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概要
関連著者
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長谷川 剛
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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桑原 祐司
理研
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寺部 一弥
無機材質研
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寺部 一弥
ナノマテリアル研究所
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寺部 一弥
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
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寺部 一弥
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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青野 正和
物材機構mana
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青野 正和
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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寺部 一弥
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
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阪本 利司
Nec 基礎・環境研
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阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
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青野 正和
東理大理
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帰山 隼一
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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中山 知信
物材機構mana:筑波大院
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水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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水野 正之
日本電気株式会社
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川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
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桑原 裕司
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
物質・材料研究機構,MANA
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鶴岡 徹
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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水野 正之
Necシステムデバイス研究所
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水野 正之
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
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帰山 隼一
NECシステムデバイス研究所
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川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
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中山 知信
物質・材料研究機構
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伴野 直樹
NECデバイスプラットフォーム研究所
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長谷川 剛
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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中山 知信
物材機構MANA
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根岸 良太
科技振
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長谷川 剛
科技振
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田中 啓文
分子研
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寺部 一弥
科技振
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小川 琢治
分子研
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青野 正和
科技振
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大川 祐司
物材機構MANA
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田中 啓文
自然科学研究機構・分子科学研究所・分子スケールナノサイエンスセンター
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長谷川 剛
理研・科技団
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寺部 一弥
理研・科技団
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根岸 良太
理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室
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高城 大輔
(独)科学技術振興機構icorp
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青野 正和
理研
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伴野 直樹
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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伴野 直樹
NEC基礎・環境研究所
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井口 憲幸
NEC基礎・環境研究所
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砂村 潤
NEC基礎・環境研究所
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井口 憲幸
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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鶴岡 徹
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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寺部 一弥
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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青野 正和
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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小澤 寛晃
分子研
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高城 大輔
(独)科学技術振興機構 ICORP
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大川 祐司
(独)科学技術振興機構 ICORP
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長谷川 剛
(独)科学技術振興機構 ICORP
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青野 正和
(独)科学技術振興機構 ICORP
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海老原 知子
物材機構
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高城 大輔
物材機構、科技構
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大川 祐司
物材機構、科技構
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長谷川 剛
物材機構、科技構
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青野 正和
物材機構、科技構
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中山 知信
理研
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中山 知信
理研・科技団
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青野 正和
理研・科技団
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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鶴岡 徹
独立行政法人 物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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長谷川 剛
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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寺部 一弥
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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青野 正和
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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伊藤 弥生美
(独)物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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鶴岡 徹
(独)物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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青野 正和
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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長谷川 剛
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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井口 憲幸
超低電圧デバイス技術研究組合
著作論文
- 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
- 固体電解質ナノスイッチ
- 3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ)
- 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
- 固体電解質メモリー
- 20pTG-5 ナノギャップ電極を用いた単電子トンネリングの電気特性とその構造評価(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTG-6 走査型トンネル顕微鏡探針によるジアセチレン分子多層膜の連鎖重合反応誘起(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 原子スイッチ : 原子(イオン)の移動を利用したナノデバイス
- 30pXC-2 ナノギャップ電極を用いた単電子トンネリングの測定(30pXC 微小超伝導体・金属量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-30 ポリジアセチレン分子ワイヤーのSTM探針による操作(28pPSB 領域12ポスターセッション(ソフトマター,化学物理,生物物理),領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 固体電気化学反応を利用した実用デバイス「原子スイッチ」の開発
- 最近の研究 量子化伝導原子スイッチの開発
- 究極的なナノデバイス「原子スイッチ」の開発
- 固体電気化学反応を用いた量子化電導原子スイッチとその応用
- (量子効果)ナノワイヤーの電気伝導 (物性科学の最新動向)
- 28pYQ-6 固体電気化学反応を用いた量子ポイントコンタクトスイッチ
- ナノワイヤーの電気伝導 (特集 物性科学の最新動向)
- 原子スイッチの現状と将来 : 新しいエレクトロニクスの創成を目指して (シリコン材料・デバイス)
- 5.局所的なイオン移動を利用したナノイオニクスデバイス : 原子スイッチ(ナノデバイス)
- アトムトランジスタ
- 原子スイッチの現状と将来 : 新しいエレクトロニクスの創成を目指して(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 原子スイッチの現状と将来 : 新しいエレクトロニクスの創成を目指して