青野 正和 | 東理大理
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概要
関連著者
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青野 正和
東理大理
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青野 正和
物材機構mana
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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片山 光浩
理化学研究所表面界面工学研究室
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桑原 裕司
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
物質・材料研究機構,MANA
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桑原 祐司
理研
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片山 光浩
理研
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青野 正和
理研
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野村 英一
新技団青野プロジェクト
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野村 英一
青野原子制御表面プロジェクト
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赤井 恵
大阪大学大学院工学研究科
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中山 知信
物材機構MANA
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斎藤 彰
大阪大学大学院工学研究科
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中山 知信
物材機構mana:筑波大院
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齋藤 彰
理研 Sprine-8:大阪大院工:科学技術振興機構icorp
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長谷川 剛
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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加藤 政彦
名大工
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青野 正和
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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桑原 裕司
阪大院工
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林 茂樹
島津製作所基盤技術研究所
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阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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副島 啓義
島津製作所科学計測
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阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
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副島 啓義
島津製作所
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副島 啓義
島津製作所2科計
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神谷 格
理研
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阪本 利司
Nec 基礎・環境研
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桑原 裕司
阪大院・工
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石川 哲也
JASRI
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田中 義人
理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部
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香村 芳樹
理研
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寺部 一弥
無機材質研
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香村 芳樹
(独)理化学研究所播磨研究所
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加藤 政彦
愛媛大理
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高木 康多
理研 SPring-8
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石川 哲也
理化学研究所 播磨研究所 構造生物物理研究室
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寺部 一弥
ナノマテリアル研究所
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中谷 真人
物材機構
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田中 義人
(独)理化学研究所播磨研究所 放射光科学総合研究センター
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齋藤 彰
阪大院工
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寺部 一弥
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
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赤井 恵
阪大院工
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香村 芳樹
理化学研究所播磨研究所
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伴野 直樹
NECデバイスプラットフォーム研究所
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高木 康多
理化学研究所播磨研究所
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Daley R.S.
理研
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Williams R.S.
理研
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阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
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田中 義人
理化学研究所・播磨研究所 放射光科学総合研究センター
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寺部 一弥
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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野津 浩史
福井大学遠赤外領域開発研究センター
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石川 哲也
理研/SPring-8
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田中 義人
理研/spring-8
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香村 芳樹
理研/SPring-8
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大関 豪三
阪大院・工:理研/spring-8
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鶴岡 徹
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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青野 正和
理化学研究所
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齋藤 彰
大阪大学大学院工学研究科
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櫻井 亮
物材機構MANA
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波田 博光
Necデバイスプラットフォーム研究所
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丸井 隆雄
島津製作所京阪奈研究所
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辻 幸秀
Necデバイスプラットフォーム研究所
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寺部 一弥
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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青野 正和
物質材料研究機構
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石川 陽子
大阪大学大学院工学研究科
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Dalley R.
UCLA
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Williams R.
UCLA
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野村 英一
理研
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宮村 友輔
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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大川 祐司
物材機構MANA
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館山 佳尚
物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest
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加藤 政彦
理研
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King B.V.
理研
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Ramstad M.
理研
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高木 康多
分子研
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赤井 恵
阪大院・工
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齋藤 彰
阪大院・工
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野津 浩史
阪大院・工
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大関 豪三
阪大院・工
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丸井 隆雄
島津製作所
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齋藤 彰
大阪大学大学院
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辻 幸秀
NECグリーンイノベーション研究所
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片山 光浩
理化学研究所
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川合 真紀
理化学研究所
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川合 真紀
理研
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吉信 淳
理研
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川合 真紀
理化学研究所:東大新領域
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竹谷 純一
阪大理
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館山 佳尚
物材機構MANA
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橋詰 富博
日立製作所基礎研究所
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塚越 幹郎
理研
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塚越 幹郎
東理大
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渡邉 聡
東大院工
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鈴木 隆則
理研
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木村 祐樹
東理大
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木村 祐樹
理研
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鈴木 隆則
東理大理
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渡邉 聡
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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渡邊 聡
東大院工
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富成 征弘
阪大院理
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水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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水野 正之
日本電気株式会社
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胡 春平
物材機構MANA
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内橋 隆
物材機構
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中山 知信
物材機構
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加藤 政彦
愛大理
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川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
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伴野 直樹
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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帰山 隼一
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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水野 正之
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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中山 知信
物質・材料研究機構
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竹谷 純一
JST-さきがけ
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川西 隆史
阪大院工
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藤原 孝彰
阪大院工
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諏訪 裕
早大理工
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鶴岡 徹
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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長谷川 剛
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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塚田 捷
東大理
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寺本 晃
島津製作所
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三田村 茂宏
島津製作所
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渡辺 一之
島津製作所
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King B.
Newcastle大
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塚本 茂
科技機構:物材機構
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青野 正和
科技機構(ICORP)
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佐久間 隆
東理大理
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中谷 真人
物材機構MANA
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村瀬 淳一
大阪大学大学院工学研究科
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久保 理
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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新ヶ谷 義隆
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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中山 知信
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
-
中山 知信
科技機構
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Goedecker Stefan
バーゼル大
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小笠原 寛人
理研
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岸本 次郎
東北大金研
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橋詰 富博
東北大金研
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桜井 利夫
東北大金研
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山崎 壮一
東北大金研
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片山 光浩
東理大理
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塚越 幹朗
東理大理
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Jeon D.
Myon Ji Univ.
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池上 浩
名大工
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長谷川 高陽
愛大理
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井上 直樹
愛大理
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青野 正和
理研 青野原子制御表面プロジェクト
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渡邉 聡
青野原子制御表面プロジェクト
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青野 正和
青野原子制御表面プロジェクト
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加藤 政彦
理化学研究所
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Ramstad M.
Department of Physics, MIT.
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小笠原 寛人
慶大理工
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小笠原 寛人
ストックホルム大学物理学科
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渡辺 一之
都立高専
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櫻井 亮
物質・材料研究機構
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鶴岡 徹
独立行政法人 物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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内橋 隆
物質・材料研究機構
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Mishra Puneet
物質・材料研究機構
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大関 豪三
阪大院工
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松野 浩之
阪大院工
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野津 浩史
阪大院工
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高木 康多
理研/SPring-8
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松野 浩之
阪大院工:理研/spring-8
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長谷川 剛
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
寺部 一弥
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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青野 正和
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
伊藤 弥生美
(独)物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
鶴岡 徹
(独)物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
桑原 裕司
阪大院工:理研/SPring-8
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渋谷 拓人
阪大院工
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米澤 賢
阪大院工
-
石橋 幸成
阪大院工
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齋藤 彰
阪大院工:理研/SPring-8
-
櫻井 亮
物質・材料研究機構,MANA
-
劉 可為
物質・材料研究機構,MANA
著作論文
- 23pGP-4 走査型トンネル顕微鏡誘起発光法を用いた磁性研究(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aGP-1 BigDFTを用いた大規模第一原理計算による表面連鎖重合反応メカニズムの考察(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 29a-J-2 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移過度応答の表面SHG法による研究
- 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
- 22pTB-5 ルブレン単結晶FETの短チャネル化(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
- 30p-BPS-26 同軸型直衝突イオン散乱分光装置(CAICISS)の開発とその応用
- 31a-T-1 CAICISSにおけるイオンと中性原子の加速管による分離
- 5p-W-6 CaF_2/Si(111)界面におけるCaSi_2の構造と形成過程のCAICISSによる研究
- 5p-W-5 CAICISSによる表面およびバルクの構造解析
- 走査マルチプローブ顕微鏡を使ったナノワイヤーの電気輸送特性計測
- 25aYH-2 STM探針によるC_分子間の局所重合反応 : 重合度の制御(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 誘電体多層膜構造によるモルフォ蝶型発色体の作製
- 導電性高分子を用いた分子ワイヤ素子の開発
- 23aXA-8 STM探針による異種分子間ナノ接合の形成(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- モルフォ・ブルー再現基板の作製と, その最適化
- 26pRJ-12 第一原理計算によるSi原子鎖へのPドーピングの効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- イオンビーム利用の基礎と現状 IV. イオンビームアナリシス 8. 同軸型直衝突イオン散乱スペクトロメトリ
- 4a-YD-5 原子層単位で形成されたSrCuO_2薄膜の表面及び基板との界面の状態
- 12p-DJ-11 CAICISS・FI-STMによるSi(111)-3x1K表面構造
- 25p-L-1 イオンビームによって反跳された吸着原子の挙動
- 25a-Y-12 Si(111)表面における金属クラスターの形成と再配列過程 : STMによる観察
- 同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICISS)
- 29p-BPS-54 表面金属クラスターの形成と分解のCAICISSによる時間分解観察
- 27p-R-13 Si(111)√×√-Ag表面の電子状態とSTM像の理論計算
- 24a-PS-37 Si(111)√×√-Ag表面上への原子吸着のCAICISSによる研究
- 24a-PS-4 CAICISSによるイオンの中性化確率の3次元空間分布測定
- イオン散乱分光と表面構造の動的観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
- 4P-E-4 CAICISSによる表面・界面の構造解析
- 4a-ps-40 CaF/Si(111)のT、T_4、H_3サイト構造モデルの比較検討 : CAICISSによる定量解析
- 4a-PS-39 Si(111)√3x√3-Ag構造におけるAg原子の位置 : CAICISSによる定量解析
- 4a-PS-38 Si(111)表面上のAgのエピタキシャル成長における拡散と核発生
- 30a-TA-10 Ag/Si(111)エピタキシャル成長初期過程のCAICISSによるリアルタイム追跡
- 単原子層の原子構造
- 29a-P-9 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS) : 新しい材料表面・界面評価法
- 局在表面プラズモン共鳴効果を利用した有機電界発光素子の高効率化
- 化学的ハンダづけ?!--単分子デバイス回路実現に大きな前進
- 28aTG-8 高輝度硬X線とSTMを組み合わせた1nmスケール元素分析(28aTG 領域9,領域5合同シンポジウム:光と走査プローブ顕微鏡の融合によるナノサイエンス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRC-8 高輝度硬X線とSTMを組み合わせた1nmスケール元素分析(24aRC 領域9,領域5合同シンポジウム:光と走査プローブ顕微鏡の融合によるナノサイエンス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-11 放射光STMによるナノスケール表面元素分析 : 金属-半導体界面の元素コントラスト評価(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-5 Si(111)-(√7×√3)-In表面における超伝導電流の観測(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 5.局所的なイオン移動を利用したナノイオニクスデバイス : 原子スイッチ(ナノデバイス)
- マテリアルニュース&トピックス 「フラーレンON/OFF材料」の特徴とその可能性
- アトムトランジスタ
- 原子スイッチの現状と将来 : 新しいエレクトロニクスの創成を目指して(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 20pHC-10 モルフォ蝶発色のFDTD解析 : 乱雑構造の役割(20pHC フォトニック結晶・超イオン導電体,領域5(光物性))
- 27aXZA-8 応力と電圧印加による単結晶酸化すずワイヤの欠陥生成・消滅(27aXZA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))