原子スイッチの現状と将来 : 新しいエレクトロニクスの創成を目指して(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
金属原子/イオンの拡散とその酸化・還元反応を制御して動作する原子スイッチは、最小加工寸法11nmを超える微細化にも対応可能であると期待されている。金属原子/イオンで伝導経路を形成する原子スイッチには、高いオンオフ比や低消費電力動作、不揮発性などの特徴がある。2端子型素子では、2値化スイッチとしての動作に加えて、シナプス動作やメムリスター動作、光検出動作などが可能である。3端子型素子では、揮発性と不揮発性の選択動作が可能であることも確認されている。これらの新しい機能は、非ノイマン型コンピュータなどの新しい電子情報機器の開発に貢献するものと期待される。
- 2012-01-20
著者
-
長谷川 剛
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
-
青野 正和
東理大理
-
青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
-
青野 正和
物材機構mana
-
青野 正和
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
-
桑原 裕司
大阪大学大学院工学研究科
-
青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
青野 正和
物質・材料研究機構,MANA
関連論文
- 23pGP-4 走査型トンネル顕微鏡誘起発光法を用いた磁性研究(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aGP-1 BigDFTを用いた大規模第一原理計算による表面連鎖重合反応メカニズムの考察(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 29a-J-2 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移過度応答の表面SHG法による研究
- 24pWB-9 放射光STMの開発 : 実空間・原子スケールでの元素識別への試み(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- STM探針からSi(111)7×7表面に付与されたSi吸着子の振る舞い
- 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
- 固体電解質ナノスイッチ
- 3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ)
- 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 放射光STMによるナノスケールでの表面元素分析
- 21aPS-74 放射光STM装置を用いたSi(111)表面上Geナノアイランドの解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pTB-5 ルブレン単結晶FETの短チャネル化(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
- 固体電解質メモリー
- 30p-BPS-26 同軸型直衝突イオン散乱分光装置(CAICISS)の開発とその応用
- 31a-T-1 CAICISSにおけるイオンと中性原子の加速管による分離
- 5p-W-6 CaF_2/Si(111)界面におけるCaSi_2の構造と形成過程のCAICISSによる研究
- 5p-W-5 CAICISSによる表面およびバルクの構造解析
- ナノ材料・表面の原子構造・機能評価 : STMをベースにした新規計測手法の開発とその応用
- 走査マルチプローブ顕微鏡を使ったナノワイヤーの電気輸送特性計測
- 25aYH-2 STM探針によるC_分子間の局所重合反応 : 重合度の制御(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 誘電体多層膜構造によるモルフォ蝶型発色体の作製
- 導電性高分子を用いた分子ワイヤ素子の開発
- 23aXA-8 STM探針による異種分子間ナノ接合の形成(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- モルフォ・ブルー再現基板の作製と, その最適化
- 26pRJ-12 第一原理計算によるSi原子鎖へのPドーピングの効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 赤外分光によるAuナノ粒子の吸着脱離過程のモニタリング
- 22pPSA-80 EELSによるシリコン表面上における原子鎖の一次元プラズモンの研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-27 PドープされたSi原子細線の電子状態と電気伝導特性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pWG-1 層状ペロブスカイト型マンガン酸化物La_Sr_MnO_4表面の低温STM測定(Mn酸化物,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- ナノインプリントリソグラフィーによるモルフォブルー量産技術の開発
- 20pTG-5 ナノギャップ電極を用いた単電子トンネリングの電気特性とその構造評価(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTG-6 走査型トンネル顕微鏡探針によるジアセチレン分子多層膜の連鎖重合反応誘起(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pWH-2 C_分子間反応の局所制御(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 単一ポリジアセチレン分子鎖へのキャリア注入
- 独立駆動二探針STMシステムの構築
- 原子スイッチ : 原子(イオン)の移動を利用したナノデバイス
- 低次元ナノ構造の電気伝導度
- 30aPS-17 C_単分子層膜中での分子間結合の局所制御(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pXC-2 ナノギャップ電極を用いた単電子トンネリングの測定(30pXC 微小超伝導体・金属量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-30 ポリジアセチレン分子ワイヤーのSTM探針による操作(28pPSB 領域12ポスターセッション(ソフトマター,化学物理,生物物理),領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 固体電気化学反応を利用した実用デバイス「原子スイッチ」の開発
- 20aYE-6 第一原理計算によるC_分子の重合・脱重合反応過程の解明(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-5 STM探針によるC_分子の局所重合および脱重合反応の制御(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-4 STM探針を用いた導電性高分子鎖へのキャリア注入現象(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-3 単-ErSi_2ナノワイヤ中の局所的電気抵抗変化 : 二探針STMによる計測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- LB法によるポリジアセチレン分子膜の作製とその評価
- 低速イオン散乱分光法の低真空下での応用
- イオン散乱分光法によるPt/YSZ界面の構造評価
- 独立駆動2探針STMの開発
- 23pWB-7 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 I. : X線定在波法による界面構造解析
- イオンビーム利用の基礎と現状 IV. イオンビームアナリシス 8. 同軸型直衝突イオン散乱スペクトロメトリ
- 4a-YD-5 原子層単位で形成されたSrCuO_2薄膜の表面及び基板との界面の状態
- 12p-DJ-11 CAICISS・FI-STMによるSi(111)-3x1K表面構造
- 25p-L-1 イオンビームによって反跳された吸着原子の挙動
- 25a-Y-12 Si(111)表面における金属クラスターの形成と再配列過程 : STMによる観察
- 同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICISS)
- 29p-BPS-54 表面金属クラスターの形成と分解のCAICISSによる時間分解観察
- 27p-R-13 Si(111)√×√-Ag表面の電子状態とSTM像の理論計算
- 24a-PS-37 Si(111)√×√-Ag表面上への原子吸着のCAICISSによる研究
- 24a-PS-4 CAICISSによるイオンの中性化確率の3次元空間分布測定
- イオン散乱分光と表面構造の動的観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
- 4P-E-4 CAICISSによる表面・界面の構造解析
- 4a-ps-40 CaF/Si(111)のT、T_4、H_3サイト構造モデルの比較検討 : CAICISSによる定量解析
- 4a-PS-39 Si(111)√3x√3-Ag構造におけるAg原子の位置 : CAICISSによる定量解析
- 4a-PS-38 Si(111)表面上のAgのエピタキシャル成長における拡散と核発生
- 30a-TA-10 Ag/Si(111)エピタキシャル成長初期過程のCAICISSによるリアルタイム追跡
- 一次元重合分子鎖の構築とその電子状態評価
- ナノドミノ倒しによる構造完全な分子細線の作成(最近の研究から)
- 分子ワイヤの形成と分子デバイスの展望
- 共役高分子ナノワイヤーの任意位置作成 : 連鎖重合反応のナノスケール制御
- ナノスケール物性計測顕微鏡-多深針走査トンネル顕微鏡ー
- 22pPSA-1 合成オリゴDNAによる層状構造の形成(領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 最近の研究 量子化伝導原子スイッチの開発
- 究極的なナノデバイス「原子スイッチ」の開発
- 19aRH-13 二探針STM法によるSi(001)表面上のErSi_2ナノワイヤの電気伝導測定
- 固体電気化学反応を用いた量子化電導原子スイッチとその応用
- (量子効果)ナノワイヤーの電気伝導 (物性科学の最新動向)
- 新しいナノテクノロジー電子素子技術の開発と応用
- 単原子層の原子構造
- 29a-P-9 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS) : 新しい材料表面・界面評価法
- SPMを用いた原子・分子操作(SPMを用いた微細加工)
- 28pYQ-6 固体電気化学反応を用いた量子ポイントコンタクトスイッチ
- ナノワイヤーの電気伝導 (特集 物性科学の最新動向)
- 局在表面プラズモン共鳴効果を利用した有機電界発光素子の高効率化
- 化学的ハンダづけ?!--単分子デバイス回路実現に大きな前進
- 28aTG-8 高輝度硬X線とSTMを組み合わせた1nmスケール元素分析(28aTG 領域9,領域5合同シンポジウム:光と走査プローブ顕微鏡の融合によるナノサイエンス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRC-8 高輝度硬X線とSTMを組み合わせた1nmスケール元素分析(24aRC 領域9,領域5合同シンポジウム:光と走査プローブ顕微鏡の融合によるナノサイエンス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-11 放射光STMによるナノスケール表面元素分析 : 金属-半導体界面の元素コントラスト評価(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-5 Si(111)-(√7×√3)-In表面における超伝導電流の観測(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 原子スイッチの現状と将来 : 新しいエレクトロニクスの創成を目指して (シリコン材料・デバイス)
- 5.局所的なイオン移動を利用したナノイオニクスデバイス : 原子スイッチ(ナノデバイス)
- マテリアルニュース&トピックス 「フラーレンON/OFF材料」の特徴とその可能性
- アトムトランジスタ
- 原子スイッチの現状と将来 : 新しいエレクトロニクスの創成を目指して(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 原子スイッチの現状と将来 : 新しいエレクトロニクスの創成を目指して
- 20pHC-10 モルフォ蝶発色のFDTD解析 : 乱雑構造の役割(20pHC フォトニック結晶・超イオン導電体,領域5(光物性))
- 27aXZA-8 応力と電圧印加による単結晶酸化すずワイヤの欠陥生成・消滅(27aXZA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))