中山 知信 | 物材機構mana:筑波大院
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概要
関連著者
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中山 知信
物材機構mana:筑波大院
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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桑原 祐司
理研
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中山 知信
物材機構MANA
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青野 正和
物材機構mana
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中谷 真人
物材機構
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青野 正和
東理大理
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中山 知信
物材機構
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長谷川 剛
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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寺部 一弥
無機材質研
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寺部 一弥
ナノマテリアル研究所
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青野 正和
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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中山 知信
物質・材料研究機構
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寺部 一弥
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
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塚本 茂
科技機構:物材機構
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寺部 一弥
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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桑原 裕司
阪大院工
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桑原 裕司
阪大院・工
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桑原 裕司
大阪大学大学院工学研究科
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新ヶ谷 義隆
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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塚本 茂
物材機構
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青野 正和
物質・材料研究機構,MANA
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寺部 一弥
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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青野 正和
科技機構(ICORP)
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久保 理
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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中山 知信
科技機構
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長尾 忠昭
物・材機構
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長尾 忠昭
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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長尾 忠昭
物材機構
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柳沼 晋
物材機構
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青野 正和
理研
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長尾 忠昭
物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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稲岡 毅
琉球大理
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水野 正之
Necシステムデバイス研究所
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水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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水野 正之
日本電気株式会社
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内橋 隆
物材機構
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川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
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阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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帰山 隼一
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
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帰山 隼一
NECシステムデバイス研究所
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川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
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砂村 潤
NEC基礎・環境研究所
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赤井 恵
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
物材機構ナノマテ研
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阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
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町田 真一
Icorp Jst:物材機構
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中山 知信
物材機構ナノマテ研
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中谷 真人
物材機構MANA
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青野 正和
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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中山 知信
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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ENDERS Dominik
科学技術振興機構ICORP
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劉 燦華
物・材機構
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稲岡 毅
岩手大工
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柳沼 晋
物・材機構
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中山 知信
物・材機構
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青野 正和
物・材機構
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桑原 裕司
ICORP JST
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桑原 裕司
科学技術振興機構(JST)国際共同研究事業「ナノ量子導体アレイ」プロジェクト
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新ヶ谷 義隆
物材機構ナノマテ研
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久保 理
物材機構ナノマテ研
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劉 燦華
物材機構
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長尾 忠昭
物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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長尾 忠昭
物質・材料研究機構
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田中 啓文
自然科学研究機構・分子科学研究所・分子スケールナノサイエンスセンター
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阪本 利司
Nec 基礎・環境研
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阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
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中山 知信
理研
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田中 啓文
理研
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青野 正和
筑波大数理
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新ヶ谷 義隆
理研
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長谷川 剛
理研・科技団
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寺部 一弥
理研・科技団
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中山 知信
理研・科技団
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青野 正和
理研・科技団
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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柳 沼晋
物材機構ナノマテ研:筑波大院数物
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長尾 忠昭
物材機構wpi-mana Nims Tsukuba
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内橋 隆
物質・材料研究機構
-
Mishra Puneet
物質・材料研究機構
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
- 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 走査マルチプローブ顕微鏡を使ったナノワイヤーの電気輸送特性計測
- 25aYH-2 STM探針によるC_分子間の局所重合反応 : 重合度の制御(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aXA-8 STM探針による異種分子間ナノ接合の形成(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pRJ-12 第一原理計算によるSi原子鎖へのPドーピングの効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 赤外分光によるAuナノ粒子の吸着脱離過程のモニタリング
- 22pPSA-80 EELSによるシリコン表面上における原子鎖の一次元プラズモンの研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-27 PドープされたSi原子細線の電子状態と電気伝導特性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pWH-2 C_分子間反応の局所制御(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 原子スイッチ : 原子(イオン)の移動を利用したナノデバイス
- 低次元ナノ構造の電気伝導度
- 30aPS-17 C_単分子層膜中での分子間結合の局所制御(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-6 第一原理計算によるC_分子の重合・脱重合反応過程の解明(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-5 STM探針によるC_分子の局所重合および脱重合反応の制御(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-3 単-ErSi_2ナノワイヤ中の局所的電気抵抗変化 : 二探針STMによる計測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-1 合成オリゴDNAによる層状構造の形成(領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 最近の研究 量子化伝導原子スイッチの開発
- 究極的なナノデバイス「原子スイッチ」の開発
- 19aRH-13 二探針STM法によるSi(001)表面上のErSi_2ナノワイヤの電気伝導測定
- 固体電気化学反応を用いた量子化電導原子スイッチとその応用
- 22pRC-5 Si(111)-(√7×√3)-In表面における超伝導電流の観測(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- マテリアルニュース&トピックス 「フラーレンON/OFF材料」の特徴とその可能性