川浦 久雄 | 日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

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概要

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関連著者

• 川浦 久雄

  日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 阪本 利司

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 阪本 利司

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 阪本 利司

  Nec 基礎・環境研

• 阪本 利司

  NEC基礎・環境研究所

• 川浦 久雄

  NEC基礎・環境研究所

• 馬場 寿夫

  Nec基礎研究所

• 馬場 寿夫

  NEC基礎研

• 砂村 潤

  Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構

• 砂村 潤

  日本電気株式会社

• 砂村 潤

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 長谷川 剛

  物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス

• 寺部 一弥

  無機材質研

• 藤田 淳一

  NEC基礎研

• 青野 正和

  大阪大学大学院工学研究科

• 水野 正之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 水野 正之

  日本電気株式会社

• 寺部 一弥

  ナノマテリアル研究所

• 桑原 祐司

  理研

• 帰山 隼一

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 寺部 一弥

  物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター

• 青野 正和

  物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター

• 馬場 雅和

  NEC

• 佐野 亨

  NEC

• 寺部 一弥

  物質材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 落合 幸徳

  JST

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研究所

• 藤田 淳一

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 青野 正和

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 馬場 雅和

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 寺部 一弥

  物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス

• 砂村 潤

  NEC基礎・環境研究所

• 馬場 雅和

  NEC基礎研究所

• 飯田 一浩

  NEC基礎研究所

• 佐野 亨

  NEC基礎研究所

• 馬場 雅和

  Nec基礎研:crest-jst

• 飯田 一浩

  Nec 基礎・環境研

• 青野 正和

  物材機構mana

• 水野 正之

  Necシステムデバイス研究所

• 江崎 達也

  広島大学

• 羽根 正巳

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 若林 整

  NEC

• 川浦 久雄

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 川浦 久雄

  日本電気(株)基礎研究所

• 砂村 潤

  日本電気(株)基礎研究所

• 水野 正之

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 井口 憲幸

  NEC基礎・環境研究所

• 帰山 隼一

  NECシステムデバイス研究所

• 井口 憲行

  NEC基礎研究所

• 落合 幸徳

  NECシリコンシステム研究所

• 井口 憲幸

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 伴野 直樹

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 若林 整

  ソニー(株)

• 松井 真二

  NEC基礎研究所

• 曽根 純一

  NEC基礎研究所

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 松井 真二

  兵庫県立大

• 松井 真二

  日本電気(株)基礎研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 曽根 純一

  東大

• 松井 真二

  Nec 基礎研

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 井口 憲幸

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 福澤 健二

  名古屋大学大学院工学研究科

• 張 賀東

  名古屋大学大学院情報科学研究科

• 青野 正和

  東理大理

• 三矢 保永

  名大

• 福澤 健二

  名大

• 張 賀東

  名大

• 江崎 達也

  NEC

• 阪本 利司

  NEC

• 五十嵐 信行

  NEC

• 竹内 潔

  NEC

• 山本 豊二

  NEC

• 江崎 達也

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 阪本 利司

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 川浦 久雄

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 山上 滋春

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 三矢 保永

  (財)名古屋産業科学研究所

• 多賀谷 洋一

  名大

• 鈴木 健太

  名大

• 伴野 直樹

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 河合 雅弘

  名大

• 伴野 直樹

  NEC基礎・環境研究所

• 中山 知信

  物質・材料研究機構

• 砂村 潤

  NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所

• 川浦 久雄

  NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所

• 阪本 利司

  NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所

• 馬場 寿夫

  NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所

• 三矢 保永

  名古屋産業科学研究所 研究部

• 落合 幸徳

  NEC基礎研究所

• 三矢 保永

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子機械工学専攻

• 羽根 正巳

  Nec シリコンシステム研

• 中山 知信

  物材機構mana:筑波大院

• 張 賀東

  名古屋大学情報科学研究科

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著作論文

• Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
• Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• SET多値メモリの高温動作化に向けたゲート-アイランド間結合容量の制御
• 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
• 3023 フェンス状ナノ構造配列を用いたDNA分離用マイクロ流路における分子の運動解析(J21 マイクロナノ理工学,J21 マイクロナノ理工学)
• 固体電解質ナノスイッチ
• 3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ)
• 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
• 高性能LSIの機能切り替えを可能にするスイッチ素子 (特集 ここまできたモバイルITの材料技術--ユビキタス社会の基盤を支えるのはこれだ!)
• ナノバイオチップによるDNA分離
• [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
• SC-9-7 単一電子トランジスタを用いた多値記憶素子
• 微細MOSFET中のキャリア伝導
• ナノスケールMOSトランジスタと多値単一電子メモリの研究 (特集:Siナノデバイス)
• 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
• 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
• 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
• [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
• 微細MOSFET中のキャリア伝導
• 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
• SET多値メモリの高温動作化に向けたゲート-アイランド間結合容量の制御

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