阪本 利司 | 日本電気(株)基礎・環境研究所
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概要
関連著者
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阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
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阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
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阪本 利司
Nec 基礎・環境研
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川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
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阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
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川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
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馬場 寿夫
Nec基礎研究所
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馬場 寿夫
NEC基礎研
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長谷川 剛
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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寺部 一弥
無機材質研
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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寺部 一弥
ナノマテリアル研究所
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桑原 祐司
理研
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帰山 隼一
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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寺部 一弥
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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寺部 一弥
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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水野 正之
日本電気株式会社
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寺部 一弥
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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青野 正和
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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藤田 淳一
NEC基礎研
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青野 正和
物材機構mana
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小宮山 進
東大院総合文化
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平井 宏
東大院総合
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落合 幸徳
JST
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藤田 淳一
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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小宮山 進
東大院総合
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青野 正和
東理大理
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蔡 兆申
Necエレクトロニクス研究所:riken
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馬場 雅和
NEC
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佐野 亨
NEC
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砂村 潤
NEC基礎・環境研究所
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馬場 雅和
NEC基礎研究所
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飯田 一浩
NEC基礎研究所
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佐野 亨
NEC基礎研究所
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伴野 直樹
NECデバイスプラットフォーム研究所
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蔡 兆申
NEC基礎・環境研究所
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中村 泰信
NEC基礎・環境研究所
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馬場 雅和
日本電気(株)基礎・環境研究所
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馬場 雅和
Nec基礎研:crest-jst
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中村 泰信
Necエレクトロニクス研究所:riken
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研
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飯田 一浩
Nec 基礎・環境研
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小林 直樹
東大院理
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水野 正之
Necシステムデバイス研究所
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江崎 達也
広島大学
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羽根 正巳
NEC(株)システムデバイス研究所
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池澤 健夫
NEC情報システムズ
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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若林 整
NEC
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若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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若林 整
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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水野 正之
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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井口 憲幸
NEC基礎・環境研究所
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帰山 隼一
NECシステムデバイス研究所
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井口 憲行
NEC基礎研究所
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落合 幸徳
NECシリコンシステム研究所
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桑原 裕司
大阪大学大学院工学研究科
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井口 憲幸
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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若林 整
ソニー(株)
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小林 直樹
東大院総合, JST
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落合 幸徳
NEC基礎研究所
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松井 真二
NEC基礎研究所
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曽根 純一
NEC基礎研究所
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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松井 真二
兵庫県立大
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松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
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羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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池澤 健夫
株式会社NEC情報システムズ
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曽根 純一
東大
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松井 真二
Nec 基礎研
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竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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青野 正和
物質・材料研究機構,MANA
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井口 憲幸
超低電圧デバイス技術研究組合
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江崎 達也
NEC
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阪本 利司
NEC
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川浦 久雄
NEC
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五十嵐 信行
NEC
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竹内 潔
NEC
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山本 豊二
NEC
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江崎 達也
NEC(株)システムデバイス研究所
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阪本 利司
NEC(株)基礎・環境研究所
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川浦 久雄
NEC(株)基礎・環境研究所
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山上 滋春
NEC(株)システムデバイス研究所
-
竹内 潔
NEC(株)システムデバイス研究所
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波田 博光
Necデバイスプラットフォーム研究所
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辻 幸秀
Necデバイスプラットフォーム研究所
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伴野 直樹
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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伴野 直樹
NEC基礎・環境研究所
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中山 知信
物質・材料研究機構
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砂村 潤
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
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川浦 久雄
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
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阪本 利司
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
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馬場 寿夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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青野 正和
物質材料研究機構
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鶴岡 徹
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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長谷川 剛
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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寺部 一弥
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
-
羽根 正巳
Nec シリコンシステム研
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中山 知信
物材機構mana:筑波大院
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鶴岡 徹
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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辻 幸秀
NECグリーンイノベーション研究所
著作論文
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
- 固体電解質ナノスイッチ
- 3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ)
- 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 高性能LSIの機能切り替えを可能にするスイッチ素子 (特集 ここまできたモバイルITの材料技術--ユビキタス社会の基盤を支えるのはこれだ!)
- ナノバイオチップによるDNA分離
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- SC-9-7 単一電子トランジスタを用いた多値記憶素子
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- ナノスケールMOSトランジスタと多値単一電子メモリの研究 (特集:Siナノデバイス)
- 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
- LSI回路の再構成を可能とするナノブリッジ (ナノテクノロジー特集) -- (エレクトロニクス・フォトニクス)
- 固体電解質メモリー
- 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 30p-Q-11 強磁場下クローン振動の遠赤外光応答
- 30p-Q-11 強磁場下クーロン振動の遠赤外光応答
- 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクーロン振動
- 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクローン振動
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 12p-DF-3 1次元SET接合アレイの電流-電圧特性
- 28p-M-2 超伝導単一電子トランジスタにおけるジョセフソン-準粒子サイクル
- シングルエレクトロニクス : 電子を一つずつ制御する技術