30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
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概要
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超微細MOSFETにおける動作やそこに現れる物理現象を調べるため、反転層で形成されたソース/ドレインを有するEJ-MOSFET(Electrically variable shallow Junction MOSFET)を作製した。超高解像レジスト(calixarene)に電子線直描を行うことで、超微細ゲート長30nmを初めて実現した。超浅接合ソース/ドレインにより短チャネル効果が有効に抑制され、ゲート長30nmにおいても、室温において正常なトランジスタ特性が得られた。また、電流のON/OFF比>10^5、カットオフ電流=20pA/μmも得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-04-24
著者
-
馬場 寿夫
NEC基礎研
-
藤田 淳一
NEC基礎研
-
川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
-
阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
-
川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
-
落合 幸徳
JST
-
松井 真二
NEC基礎研究所
-
曽根 純一
NEC基礎研究所
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
-
藤田 淳一
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
馬場 寿夫
Nec基礎研究所
-
松井 真二
兵庫県立大
-
松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
-
阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
曽根 純一
東大
-
松井 真二
Nec 基礎研
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研
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