表面トンネルトランジスタ
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概要
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我々は、微細化に適する新しい量子効果素子として半導体中のバンド間トンネル電流を直接ゲート電極により制御する表面トンネル卜ランジスタ(STT, Surface Tunnel Transistor)を提案している。これまでにGaAs系素子試作によりその動作を確認しているが、実用的な観点から高速動作や機能性の向上が求められている。本報告では最近の成果であるInGaAs系材料による動作電流密度の向上、多重接合STTの提案とその動作実証、および多値メモリー動作の確認を中心に、研究の現状と展望について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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- 編集にあたって
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- 基礎講座
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- 基礎講座 : 基礎編/有機分子エレクトロニクスの基礎と応用
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