植村 哲也 | Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
植村 哲也
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
-
植村 哲也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
植村 哲也
「応用物理」編集委員会
-
山本 眞史
北大情報科学
-
植村 哲也
北大 大学院情報科学研究科
-
植村 哲也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
山本 眞史
北海道大学大学院工学研究科
-
山本 眞史
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
原 一広
「応用物理」編集委員会
-
森川 良忠
「応用物理」編集委員会
-
丸亀 孝生
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
山本 眞史
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
Hara K
Synthetic Crystal Research Laboratory Faculty Of Engineering Nagoya University
-
HAYASHI Ken-ichi
Keio University
-
Hara Kunihiro
Opto-electronics Research Laboratories Nec Corporation
-
Hara K
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
-
丸亀 孝生
北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻
-
Hayashi Kunihiko
Superconductivity Research Laboratory International Superconductivity Technology Center
-
Hirama K
Univ. Yamanashi Jpn
-
Hayashi Katsuro
Frontier Collaborative Research Center Tokyo Institute Of Technology
-
HARA Kazuhiro
Department of Applied Science, Faculty of Engineering Kyushu University
-
松田 健一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
馬場 寿夫
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
-
丸野 茂光
「応用物理」編集委員会
-
馬場 寿夫
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
植村 哲也
日本電気(株) システムデバイス・基礎研究本部
-
馬場 寿夫
日本電気(株) システムデバイス・基礎研究本部
-
石川 貴之
北大情報科学
-
馬場 寿夫
NEC基礎研
-
石川 貴之
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
本間 怜
北海道大学電子情報工学専攻
-
本間 怜
北海道大学大学院工学研究科
-
坪井 望
「応用物理」編集委員会
-
笠原 貴志
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
全 容震
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
-
山本 眞史
北海道大学大学院情報科学研究科
-
足立 智
北海道大学大学院工学研究科
-
山本 眞史
北大院情報科学
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
有田 正志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
-
松田 健一
北大院情報
-
菅原 陽
北海道小樽工業高等学校
-
菅原 広剛
北海道大学大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
袴田 真矢
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
丹羽 浩貴
北大院情報科学
-
秋元 陽介
北大院情報科学
-
植村 哲也
北大院情報科学
-
菅原 広剛
北海道大学
-
伊藤 公平
「応用物理」編集委員会
-
馬場 寿夫
日本電気基礎研究所
-
棚本 哲史
「応用物理」編集委員会
-
和田 健司
「応用物理」編集委員会
-
高橋 庸夫
北大
-
松本 祐司
「応用物理」編集委員会
-
馬場 寿夫
Nec基礎研究所
-
重川 秀実
「応用物理」編集委員会
-
高橋 庸夫
東北大・工
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
足立 智
北大 大学院工学研究科
-
Sato T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
小山 俊樹
「応用物理」編集委員会
-
Sato Taketomo
Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu
-
Sato Taketomo
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
全 容振
NEC基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
-
植村 哲也
日本電気基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
Sato Taketomo
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
有田 正志
北海道大学大学院 情報科学研究科
-
葛西 誠也
北海道大学
著作論文
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- Co_2Cr_Fe_Al薄膜を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
- 19aRD-3 超伝導体/強磁性体2層構造を有する膜厚可変型ブリッジ構造のジョセフソン輸送特性(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 量子化機能回路に向けた表面トンネルトランジスタ(STT)の開発 (小特集:量子化機能素子) -- (量子化機能素子プロジェクトの進捗状況)
- Beyond CMOS に向けて
- 編集にあたって
- 基礎編/有機分子エレクトロニクスの基礎と応用
- 基礎講座
- 基礎講座
- 基礎講座 : 基礎編/有機分子エレクトロニクスの基礎と応用
- 基礎講座
- 基礎講座 : 基礎編/有機分子エレクトロニクスの基礎と応用
- 基礎講座
- 基礎講座
- 基礎講座
- マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
- マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
- SC-11-2 強磁性トンネル接合素子とトンネルダイオードからなるMRAMセルの提案と動作実証(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
- 強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- ロボット開発に貢献するバイオエレクトロニクス
- C-10-20 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値シフトレジスター
- 80nmゲート長を有するセルフアラインSTT
- 80nmゲート長を有するセルフアラインSTT
- SC-9-4 多重接合型表面トンネルトランジスタとヘテロ接合FETを用いた3値Tゲート回路と2段D-FF回路の作製
- 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値Tゲート回路の評価と3値D-FF回路への応用
- ED2000-55 / SDM2000-55 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値Tゲート回路の評価と3値D-FF回路への応用
- 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値Tゲート回路
- 表面トンネルトランジスタ
- 表面トンネルトランジスタにおける負性抵抗特性の評価
- Co系フルホイスラー合金を用いたスピン流の創出と制御