ED2000-55 / SDM2000-55 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値Tゲート回路の評価と3値D-FF回路への応用
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概要
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多値論理回路において最も基本的かつ重要なロジックユニットの一つである多値Tゲート回路を多重接合型表面トンネルトランジスタ(MJSTT)とFETで構成する新たな回路を提案するとともに、その基本動作を確認した。MJSTTの機能性により、3値Tゲートおよび3値エッジトリガー型Dフリップフロップ回路が従来のFETのみの回路に比べ、半数以下の素子数(6個)で形成でき、本方式は素子数・配線数の低減に有効であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-21
著者
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馬場 寿夫
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
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馬場 寿夫
日本電気(株)基礎・環境研究所
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植村 哲也
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
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植村 哲也
日本電気(株) システムデバイス・基礎研究本部
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馬場 寿夫
日本電気(株) システムデバイス・基礎研究本部
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