平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2009-07-31
著者
-
足立 智
北海道大学大学院工学研究科
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
有田 正志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
-
菅原 陽
北海道小樽工業高等学校
-
植村 哲也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
菅原 広剛
北海道大学大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
松田 健一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
菅原 広剛
北海道大学
-
高橋 庸夫
北大
-
植村 哲也
「応用物理」編集委員会
-
植村 哲也
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
-
高橋 庸夫
東北大・工
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
足立 智
北大 大学院工学研究科
-
Sato T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
Sato Taketomo
Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu
-
Sato Taketomo
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
Sato Taketomo
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
植村 哲也
北大 大学院情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
有田 正志
北海道大学大学院 情報科学研究科
-
植村 哲也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北海道大学
関連論文
- One- and two-dimensional spectral diffusion of type-II excitons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires
- 核スピンを光で見る・操作する-半導体量子ドットの動的核偏極(最近の研究から)
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- 29p-YM-7 A15型Crの電子密度分布
- A15型微粒子
- Cr微粒子の形態学的研究
- Appearance of Forbidden Reflections from Yb Smoke Particles
- 12a-DL-9 A15型タングステン薄膜の欠陥構造
- 12a-DL-8 ガス中蒸発法によって作られた多重粒界Cr微粒子
- 13a-Y-8 A15型Cr微粒子のモルフォロジーと表面エネルギー
- 29a-ZA-2 Cr 微粒子のモルフォロジーと構造
- 29a-ZA-1 Yb 微粒子における双晶
- Ytterbium Small Particles Prepared by Gas Evaporation Method
- 26p-F-1 ガス中蒸発法によるYb微粒子
- Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型2次元フォトニック結晶構造の作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 核スピンを光で見る・操作する-半導体量子ドットの動的核偏極
- 光波混合法による窒化ガリウム薄膜での励起子間相互作用の実空間マッピング
- 25pWJ-7 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤにおける光励起キャリアの過渡現象(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-6 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの励起子過程(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-5 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの時間分解発光スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-7 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの時間分解発光スペクトル(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Fabrication of InP/InAs/InP core-multishell heterostructure nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- Realization of conductive InAs nanotubes based on lattice-mismatched InP/InAs core-shell nanowires
- Realization of InAs-based two-dimensional artificial lattice by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- CT-2-4 InAs系ナノワイヤトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 2-1 量子ドットを用いた量子計算(2.量子情報処理技術の新展開,進化する先端フォトニックデバイス)
- 29pYF-14 ヘテロダイン四光波混合法による量子ドットのスピン緩和(半導体スピン物性)(領域4)
- 22pPSA-68 四光波混合法による量子ドットのスピン緩和の測定
- 18pYJ-11 自己集合量子ドット列の電子スピンを用いた量子コンピューティング
- 28p-ZH-2 GaAs/AlGaAs量子井戸中のピコ秒励起子スピン緩和
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製
- 25aD02 有機金属気相選択成長法によるGaInAs/GaAsナノワイヤの結晶成長と光学的評価(ナノ粒子・ナノ構造(1),第34回結晶成長国内会議)
- MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型2次元フォトニック結晶構造の作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 注目の技術と部材 シリコン基板を用いた新構造発光素子の開発
- 2P1-4 超短光パルスによるナノ構造の振動研究(ポスターセッション)
- 1J2a-3 半導体ナノピラーにおける振動モードのピコ秒音響法による観測(測定技術)
- MOVPE選択成長法を用いたIII-V族化合物半導体ナノワイヤの形成
- 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- MOVPE選択成長における自己停止機構を利用した量子箱構造の作製と評価
- 24aXL-3 量子チューブ中アハロノフ-ボーム効果の光学的検出(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 1Pb-6 超短光パルスを用いたGaAsナノピラーの振動モード観測(ポスターセッション)
- 24aPS-42 A面サファイア基板上GaNの四光波混合分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- Fabrication of semiconductor Kagome lattice structure by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- Characterization of Fabry-Pérot microcavity modes in GaAs nanowires fabricated by selective-area metal organic vapor phase epitaxy
- 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)
- III-V族化合物半導体ナノワイヤにおける閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造の構造相転移(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性,AWAD2006)
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性
- 半導体ナノワイヤとナノデバイス応用
- Photonic Crystal Slabs with Hexagonal Optical Atoms and Their Application in Waveguides
- In-Situ Scanning Tunneling Microscope Study of Formation Process of Ultrathin Si Layer by Molecular Beam Epitaxy on GaAs(001)-(2×4) Surface
- In-Situ UHV-STM Study of Formation Process of Ultrathin MBE Si Layer on GaAs(001)-(2x4) Surface
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- MOVPE法におけるGaAs微傾斜基板上へのSiの選択的ドーピングの可能性
- 多段原子ステップを用いた電子波干渉素子
- MOVPE Condition Dependences of MnAs Nanoclusters Grown on GaInAs (111)A Surfaces
- Formation of InAs Dots on AlGaAs Ridge Wire Structures by Selective Area MOVPE Growth
- GaAs dot-wire coupled structures grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy and their application to single electron devices
- Initial Stage of InGaAs Growth on GaAs Multiatomic Steps by MOVPE
- Temperature Dependence of Si Delta-Doping on GaAs Singular and Vicinal Surfaces in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- Characterization of Potential Modulation in Novel Lateral Surface Superlattices Formed on GaAs Multiatomic Steps
- Real-Time Observation of Electron-Beam Induced Mass Transport in Strained InGaAs/AlGaAs Layers on GaAs (100) and (311)B Substrates
- Characterization of Potential Modulation in Novel Lateral Surface Superlattices Formed on GaAs Multiatomic Steps
- Delta-Doping and the Possibility of Wire-like Incorporation of Si on GaAs Vicinal Surfaces in Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth
- Delta-Doping of Si on GaAs Vicinal Surfaces and Its Possibility of Wirelike Incorporation in Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth
- A Novel Electron Wave Interference Device Using Multiatomic Steps on Vicinal GaAs Surfaces Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: Investigation of Transport Properties
- MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- Theoretical study on the photonic crystal slabs with hexagonal optical atoms
- 26aE03 MOVPE選択成長法によるInP系フォトニック結晶構造の作製(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 有機金属気相成長法によるナノ構造の作製
- 単電子デバイスによる多数決論理回路
- 単電子デバイスによる多数決論理回路
- MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用
- MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用
- コヒーレントフォノンの励起・制御と応用
- 半導体ナノ構造の自然形成
- 量子細線・量子ドット構造のAFMによる評価
- 加工微傾斜基板による周期的多段原子ステップ構造の形成とその応用
- 加工微傾斜基板による周期的多段原始ステップ構造の形成とその応用
- 自己組織化論争
- III-V族化合物半導体低次元量子構造の作製
- 23pRB-6 InP/InAsP/InPナノワイヤー量子ドットの局在励起子発光の偏光状態(23pRB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 23aTN-2 単一ウルツ鉱型InP/InAs/InPコアマルチシェルナノワイヤーの偏光ルミネッセンス(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 半導体ナノワイヤデバイスの新展開
- Si基板上のIII-V族ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタ応用
- 26pXG-6 量子ドットにおける核スピン分極の光ポンピングと揺らぎの光学的検出(26pXG 領域4,領域1,領域3,領域5合同シンポジウム:核スピンエンジニアリングへの挑戦〜ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題〜,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXG-6 量子ドットにおける核スピン分極の光ポンピングと揺らぎの光学的検出(26pXG 領域4,領域1,領域3,領域5合同シンポジウム:核スピンエンジニアリングへの挑戦〜ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題〜,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 半導体ナノワイヤデバイスの新展開 : 縦型トランジスタ応用(半導体材料・デバイス)