MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用
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概要
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MOVPE選択成長法を用いて単電子デバイスを作製し、その評価を行った。加工したSiNxマスクを有するGaAs基板にAlGaAs/GaAs変調ドープ構造を成長すると、facetで囲まれた立体構造が形成される。チャネルの一部に凹凸を形成すると、チャネル幅が結晶面で変調される。この部分にゲート電極を形成、負の電圧を印加すると側壁からチャネルが空乏しピンチオフ近傍でドットとトンネルバリアが形成される。極低温にて伝導特性の評価を行った結果、明瞭な単電子トランジスタの特性を確認した。また、可変抵抗と単電子トランジスタを集積化した単電子インバータ回路を作製し、その基本動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
中島 史人
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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