有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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電気的、光学的、形状的な利点から化合物半導体ナノワイヤの応用に注目が集まっており、様々なデバイスへの応用が考えられている。それらの応用に際し、ナノワイヤの結晶構造の制御性の確立や積層欠陥・回転双晶等結晶欠陥の発生機構の解明は必要不可欠であり、そのためにはナノワイヤ作製に関する基礎的研究の更なる充実が求められる。本研究では、有機金属気相選択成長法(SA-MOVPE)によりInPナノワイヤを作製し、閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造の構造相転移について各構造の成長条件の切り分け、ウルツ鉱構造作製条件についてのナノワイヤ直径依存性について評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-02-19
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
Motohisa Junichi
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
北内 悠介
北海道大学情報科学研究科
-
小林 靖典
北海道大学情報科学研究科
-
小林 靖典
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Fukui T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
北内 悠介
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
本久 順一
北大情エレ
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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