Fukui T | Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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概要
関連著者
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Fukui T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
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福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
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本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
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福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
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本久 順一
北大情エレ
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Motohisa Junichi
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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竹田 潤一郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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竹田 潤一郎
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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冨岡 克広
北大RCIQE
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Masumoto Yasuaki
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
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モハン プリミーラ
北大情報科学
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原 真二郎
北海道大学大学院情報科学研究科
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舛本 泰章
筑波大学物理学系
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原 真二郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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後藤 健
筑波大数理
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パル ピプル
筑波大数理
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パル ビプル
筑波大物理
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垂水 章浩
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋本 晋司
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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冨岡 克広
北海道大学大学院情報科学研究科
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福井 孝志
北大情報及び量集センター
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冨岡 克広
北海道大学 大学院情報科学研究科
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佐藤 拓也
北海道大学大学院情報科学研究科
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松田 理
北大院工
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友田 基信
北大院工
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ライト オリバーB.
北大院工
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Wright Oliver
北大工
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舛本 泰章
筑波大数理
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ライト オリバーB.
北海道大学大学院工学研究院応用物理学部門
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登坂 仁一郎
北海道大学大学院情報科学研究科
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佐久間 洋宇
北大院工
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ライト オリバ
北大院工
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佐藤 拓也
北海道大学医学研究科腎泌尿器外科
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佐久間 洋宇
北大工
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富岡 克広
北大情報及び量集センター
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小林 靖典
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Wright Oliver
サウサンプトン大学
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登坂 仁一郎
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐久間 洋宇
北海道大学大学院工学院応用物理学専攻
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舛本 泰章
筑波大物理
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稲荷 将
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Wright Oliver
北大院工
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パル ビプル
筑波大数理
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本久 順一
北大情報科学
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福井 孝志
北大情報科学
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本久 順一
北大量子集積セ
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福井 孝志
北大量子集積セ
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Masumoto Yasuaki
Single Quantum Dot Project Erato Jst Tsukuba Research Consortium:institute Of Physics University Of
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FUKUI Takashi
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
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MOTOHISA Junichi
Research Center for Interface Quantum Electronics and Faculty of Engineering, Hokkaido University
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北内 悠介
北海道大学情報科学研究科
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小林 靖典
北海道大学情報科学研究科
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Masumoto Yasuaki
Institute Of Physics University Of Tsukuba Tsukuba
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大池 昇
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター
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Fukui Takashi
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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Motohisa Junichi
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) Hokkaido University
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北内 悠介
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Motohisa Junichi
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 14 West 9, Kita-ku, Sapporo 060-0814, Japan
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笹倉 弘理
北海道大学電子科学研究所
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冨本 慎一
筑波大物理
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福井 孝志
北大量集センタ
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末宗 幾夫
北大電子研
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野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
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松田 理
北大工
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友田 基信
北大工
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冨本 慎一
筑波大数理
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モハン プリメーラ
北大情報科学
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後藤 健
筑波大 数理
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パル ビプル
筑波大 数理
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舛本 泰章
筑波大 数理
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モハン プリミーラ
北大 量子集積セ
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本久 順一
北大 量子集積セ
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福井 孝志
北大 量子集積セ
-
モハン プリミーラ
北大量子集積セ
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舛本 泰章
筑波大院数物
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田中 智隆
北海道大学大学院情報科学研究科
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冨岡 克弘
JSTさきがけ
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福井 孝志
北大院情報及び量集センター
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富岡 克広
北大院情報及び量集センター
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福井 孝志
北大院情科研及び量集センター
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富岡 克広
北大院情科研及び量集センター
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熊野 英和
北海道大学電子科学研究所
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末宗 幾夫
北大:crest-jst
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野村 晋太郎
筑波大物質創成
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津村 公平
筑波大物質創成
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HARA Shinjiroh
Research Center for Interface Quantum Electronics and Faculty of Engineering, Hokkaido University
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比留間 健之
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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池尻 圭太郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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吉田 浩惇
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Veres Istvan
イギリスStrathclyde大工
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笹倉 弘理
北海道大学電子科学研究所:jst Crest
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IGUCHI Hiroko
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
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KUSUHARA Toyonori
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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NAKAJIMA Fumito
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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池尻 圭太郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:(現)(株)日立製作所
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Sakuma Yoshiki
National Institute For Materials Science (nims)
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Sakuma Yoshiki
Nanomaterials Laboratory National Institute For Materials Science
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Hara Shinjiroh
Graduate School Of Information Science And Technology And Research Center For Integrated Quantum Ele
-
田中 智隆
北海道大学大学院情報科学研究科:jstさきがけ
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Hara S
Graduate School Of Information Science And Technology And Research Center For Integrated Quantum Ele
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冨岡 克弘
Jstさきがけ:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Kusuhara Toyonori
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) Hokkaido University
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Iguchi Hiroko
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
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平田 裕基
福岡工大
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小林 靖典
北大情エレ
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笹倉 弘理
北大電子研
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Dorenbos S.
デルフト工科大
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Kouwen M.
デルフト工科大
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Zwiller V.
デルフト工科大
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福井 孝志
北大RCIQE
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Hermannstadter C.
北大電子研
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熊野 英和
北大電子研
-
平田 裕基
筑波大院数物
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Mohan P.
北大量集センター
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本久 順一
北大量集センター
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友田 基信
北海道大院
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友田 基信
北海道大学大学院工学院応用物理学専攻
著作論文
- One- and two-dimensional spectral diffusion of type-II excitons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires
- MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型2次元フォトニック結晶構造の作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 25pWJ-7 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤにおける光励起キャリアの過渡現象(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-6 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの励起子過程(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-5 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの時間分解発光スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-7 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの時間分解発光スペクトル(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Fabrication of InP/InAs/InP core-multishell heterostructure nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- Realization of conductive InAs nanotubes based on lattice-mismatched InP/InAs core-shell nanowires
- Realization of InAs-based two-dimensional artificial lattice by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- CT-2-4 InAs系ナノワイヤトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製
- 25aD02 有機金属気相選択成長法によるGaInAs/GaAsナノワイヤの結晶成長と光学的評価(ナノ粒子・ナノ構造(1),第34回結晶成長国内会議)
- MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型2次元フォトニック結晶構造の作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 注目の技術と部材 シリコン基板を用いた新構造発光素子の開発
- 2P1-4 超短光パルスによるナノ構造の振動研究(ポスターセッション)
- 1J2a-3 半導体ナノピラーにおける振動モードのピコ秒音響法による観測(測定技術)
- MOVPE選択成長法を用いたIII-V族化合物半導体ナノワイヤの形成
- 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 24aXL-3 量子チューブ中アハロノフ-ボーム効果の光学的検出(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 1Pb-6 超短光パルスを用いたGaAsナノピラーの振動モード観測(ポスターセッション)
- Low temperature transport in dual-gated SETs fabricated by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)
- III-V族化合物半導体ナノワイヤにおける閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造の構造相転移(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性,AWAD2006)
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性
- 半導体ナノワイヤとナノデバイス応用
- MOVPE Condition Dependences of MnAs Nanoclusters Grown on GaInAs (111)A Surfaces
- Formation of InAs Dots on AlGaAs Ridge Wires Structure by Selective Area MOVPE Growth
- MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 26aE03 MOVPE選択成長法によるInP系フォトニック結晶構造の作製(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 有機金属気相成長法によるナノ構造の作製
- 23pRB-6 InP/InAsP/InPナノワイヤー量子ドットの局在励起子発光の偏光状態(23pRB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 23aTN-2 単一ウルツ鉱型InP/InAs/InPコアマルチシェルナノワイヤーの偏光ルミネッセンス(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 半導体ナノワイヤデバイスの新展開
- Si基板上のIII-V族ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタ応用