有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性,AWAD2006)
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概要
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有機金属気相成長(MOVPE)法による選択成長を用いたIII-V族化合物半導体ナノワイヤおよび関連構造の形成と、その光学的・電気的特性に関し、我々の最近の結果を報告する。(111)面方位基板に対して選択成長を行うことにより、基板から垂直に立った最小直径50nm、最長9μmのGaAs系あるいはInP系半導体によるナノワイヤ、およびその高密度周期的配列構造の形成に成功した。成長条件を制御し、成長方向を制御することにより、コアシェル型ヘテロ構造を有するナノワイヤや、あるいは、そのコアシェル型ヘテロ構造に2段階エッチングを行うことにより、ナノチューブ構造の形成にも成功した。これらの構造をPLにより評価した結果、GaAs/AlGaAsコアシェル構造においては、表面における非発光性再結合による発光効率の低下が抑制されていること、また、InP/InAsマルチコアシェル構造においては、InPナノワイヤの側面に、原子層単位の厚さのInAs量子井戸が形成されていることが確認された。InGaAsナノワイヤの低温における電気伝導特性についても紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-26
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Fukui T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
本久 順一
北大情エレ
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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