MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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SiO_2/W複合膜をマスクとして用いたMOVPE選択成長(SA-MOVPE)により、ゲートをセルフアライン的に形成したGaAs/AlGaAs細線トランジスタを作製した。このセルフアラインゲート型細線トランジスタにおいて、MOVPE選択成長により作製した構造の断面がメサ形状になる場合、メサ構造の高い位置にチャネルを形成することで、ファセットによる電子の閉じこめ効果を大きくできるが、それと同時にゲートとチャンネル間の距離は大きくなってしまう。そこで、チャネル幅やチャネルーゲート間距離などの形状的な因子の異なる試料をいくつか作製し、形状的な因子とゲート制御性との関連性を評価した。その結果、ゲート制御性はゲートとチャネルとの距離には依存せず、チャネル幅によって主に決定されることが明らかとなった。得られたトランジスタ特性の形状的因子依存性より、このトランジスタの動作メカニズムを議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-20
著者
-
本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
大池 昇
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター
-
本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Fukui T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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