半導体ナノ構造の自然形成
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概要
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GaAs self-organized quantum nano-structures were fabricated by metalorganic chemical vapor deposition on vicinal and patterned GaAs substrates. Using step bunching phenomena during GaAs growth on vicinal GaAs substrate, high density quantumwire array was formed. GaAs quantum dots were also fabricated on GaAs pyramidal structures grown SiNx masked(001)GaAs with square opening.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
石崎 順也
北大量子界面エレクトロニクス研
-
原 真二郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
福井 孝志
北大量子界面エレクトロニクス研
-
原 真二郎
北大量子界面エレクトロニクス研
-
熊倉 一英
北大量子界面エレクトロニクス研
-
本久 順一
北大量子界面エレクトロニクス研
-
熊倉 一英
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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