In-Situ UHV-STM Study of Formation Process of Ultrathin MBE Si Layer on GaAs(001)-(2x4) Surface
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概要
- 論文の詳細を見る
- 1997-09-16
著者
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
ISHIKAWA Yasuhiko
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
Ishikawa Yasuhiko
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
Ishikawa Y
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Ishikawa Y
Dowa Mining Co. Ltd. Tokyo
-
FUKUI Takashi
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
-
Ishikawa Y
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
TSURUMI Naohiro
Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information
-
Tsurumi Naohiro
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Fukui Takashi
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Hasegawa Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan
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