A Novel Electron Wave Interference Device Using Multiatomic Steps on Vicinal GaAs Surfaces Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: Investigation of Transport Properties
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1997-03-30
著者
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
FUKUI Takashi
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
-
HARA Shinjiroh
Research Center for Interface Quantum Electronics and Faculty of Engineering, Hokkaido University
-
MOTOHISA Junichi
Research Center for Interface Quantum Electronics and Faculty of Engineering, Hokkaido University
-
ISHIZAKI Jun-ya
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
-
AKABORI Masashi
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
-
IRISAWA Tomoki
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
-
Hara Shinjiroh
Graduate School Of Information Science And Technology And Research Center For Integrated Quantum Ele
-
Ishizaki Jun-ya
Research Center For Interface Quantum Electronics Hokkaido University
-
Hara S
Graduate School Of Information Science And Technology And Research Center For Integrated Quantum Ele
-
Fukui Takashi
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Motohisa Junichi
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) Hokkaido University
-
MOTOHISA Junichi
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
-
Motohisa Junichi
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 14 West 9, Kita-ku, Sapporo 060-0814, Japan
-
HARA Shinjiroh
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
関連論文
- One- and two-dimensional spectral diffusion of type-II excitons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- 原子層エピタキシ法によるInAs/GaAs量子井戸の形成と評価
- MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型2次元フォトニック結晶構造の作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 25pWJ-7 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤにおける光励起キャリアの過渡現象(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-6 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの励起子過程(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-5 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの時間分解発光スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-7 InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの時間分解発光スペクトル(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Fabrication of InP/InAs/InP core-multishell heterostructure nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- Realization of conductive InAs nanotubes based on lattice-mismatched InP/InAs core-shell nanowires
- Realization of InAs-based two-dimensional artificial lattice by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- CT-2-4 InAs系ナノワイヤトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製
- InP系エアホール型2次元フォトニック結晶の作製
- 25aD02 有機金属気相選択成長法によるGaInAs/GaAsナノワイヤの結晶成長と光学的評価(ナノ粒子・ナノ構造(1),第34回結晶成長国内会議)
- MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型2次元フォトニック結晶構造の作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 注目の技術と部材 シリコン基板を用いた新構造発光素子の開発
- 2P1-4 超短光パルスによるナノ構造の振動研究(ポスターセッション)
- 1J2a-3 半導体ナノピラーにおける振動モードのピコ秒音響法による観測(測定技術)
- MOVPE選択成長法を用いたIII-V族化合物半導体ナノワイヤの形成
- 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- MOVPE選択成長における自己停止機構を利用した量子箱構造の作製と評価
- Novel Approach for Lateral Current Confinement in Vertical Resonant Tunneling Devices
- 24aXL-3 量子チューブ中アハロノフ-ボーム効果の光学的検出(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 1Pb-6 超短光パルスを用いたGaAsナノピラーの振動モード観測(ポスターセッション)
- Fabrication of semiconductor Kagome lattice structure by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
- Characterization of Fabry-Pérot microcavity modes in GaAs nanowires fabricated by selective-area metal organic vapor phase epitaxy
- Quantum Well Wire Fabrication Method Using Self-Organized Multiatomic Steps on Vicinal (001) GaAs Surfaces by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- Novel Formation Method of Quantum Dot Structures by Self-Limited Selective Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- Fabrication of GaAs/AlGaAs Quantum Dots by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Patterned GaAs Substrates
- Growth Behavior and Mechanism of Alkyl-Desorption-Limited Epitaxial Growth of GaAs on Exactly Oriented and Vicinal Substrates
- Mechanism of Multiatomic Step Formation durirng Metalorganic Chemical Vapor deposition Growth of GaAs on (001) Vicinal Surface Studied by Atomic Force Microscopy
- 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)
- III-V族化合物半導体ナノワイヤにおける閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造の構造相転移(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性,AWAD2006)
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性
- 有機金属選択成長による半導体ナノワイヤの成長とその特性
- 半導体ナノワイヤとナノデバイス応用
- Photonic Crystal Slabs with Hexagonal Optical Atoms and Their Application in Waveguides
- III-V Semiconductor Epitaxial Nanowires and Their Applications(Plenary Session)
- III-V Semiconductor Epitaxial Nanowires and Their Applications(Plenary Session)
- III-V semiconductor hetero-structure nanowires by selective area MOVPE
- In-Situ Scanning Tunneling Microscope Study of Formation Process of Ultrathin Si Layer by Molecular Beam Epitaxy on GaAs(001)-(2×4) Surface
- In-Situ UHV-STM Study of Formation Process of Ultrathin MBE Si Layer on GaAs(001)-(2x4) Surface
- Missing-Dimer Structures and Their Kink Defects on Molecular Beam Epitaxially Grown (2×4) Reconstructed (001) InP and GaAs Surfaces Studied by Ultrahigh-Vacuum Scanning Tunneling Microscopy
- Missing-Dimer Structures and Their Kink Defects on MBE-Grown (2x4) Reconstructed (001)Inp Surfaces Studied by UHV Scanning Tunneling Microscope
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- MOVPE法におけるGaAs微傾斜基板上へのSiの選択的ドーピングの可能性
- 多段原子ステップを用いた電子波干渉素子
- GaAs DH-HEMT channel coupled InAs quantum dot memory device by selective area metal organic vapor phase epitaxy
- Ordered Quantum Dots : A New Self-Organizing Growth Mode on High-Index Semiconductor Surfaces
- Ordered Quantum Dots: Atomic Force Microscopy Study of a New Self-Organizing Growth Mode on GaAs (311)B Substrates
- MOVPE Condition Dependences of MnAs Nanoclusters Grown on GaInAs (111)A Surfaces
- Formation of InAs Dots on AlGaAs Ridge Wire Structures by Selective Area MOVPE Growth
- Formation of InAs Dots on AlGaAs Ridge Wires Structure by Selective Area MOVPE Growth
- GaAs dot-wire coupled structures grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy and their application to single electron devices
- Initial Stage of InGaAs Growth on GaAs Multiatomic Steps by MOVPE
- Temperature Dependence of Si Delta-Doping on GaAs Singular and Vicinal Surfaces in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- Characterization of Potential Modulation in Novel Lateral Surface Superlattices Formed on GaAs Multiatomic Steps
- Real-Time Observation of Electron-Beam Induced Mass Transport in Strained InGaAs/AlGaAs Layers on GaAs (100) and (311)B Substrates
- Characterization of Potential Modulation in Novel Lateral Surface Superlattices Formed on GaAs Multiatomic Steps
- Delta-Doping and the Possibility of Wire-like Incorporation of Si on GaAs Vicinal Surfaces in Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth
- Delta-Doping of Si on GaAs Vicinal Surfaces and Its Possibility of Wirelike Incorporation in Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth
- A Novel Electron Wave Interference Device Using Multiatomic Steps on Vicinal GaAs Surfaces Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: Investigation of Transport Properties
- A Novel Electron Wave Interference Device Using Multiatomic Steps on Vicinal GaAs Surfaces Grown by MOVPE : Investigation of Transport Properties
- MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- Theoretical study on the photonic crystal slabs with hexagonal optical atoms
- 26aE03 MOVPE選択成長法によるInP系フォトニック結晶構造の作製(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 有機金属気相成長法によるナノ構造の作製
- 単電子デバイスによる多数決論理回路
- 単電子デバイスによる多数決論理回路
- Investigation of Optical Magnetic Flux Generation in Superconductive YBCO Strip-Line(Special Issue on Superconductive Electronics)
- MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用
- MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用
- 半導体ナノ構造の自然形成
- 量子細線・量子ドット構造のAFMによる評価
- 選択成長によるGaAs及びAlGaAs立体構造の作製と評価
- Simulation and Observation of the Step Bunching Process Grown on GaAs (001) Vicinal Surface by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 化合物半導体量子細線および量子ドットの製作
- 加工微傾斜基板による周期的多段原子ステップ構造の形成とその応用
- 加工微傾斜基板による周期的多段原始ステップ構造の形成とその応用
- 自己組織化論争
- III-V族化合物半導体低次元量子構造の作製
- 選択成長を利用した量子細線・量子箱の作製
- 23pRB-6 InP/InAsP/InPナノワイヤー量子ドットの局在励起子発光の偏光状態(23pRB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 23aTN-2 単一ウルツ鉱型InP/InAs/InPコアマルチシェルナノワイヤーの偏光ルミネッセンス(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 結晶成長の自己組織化
- (29)北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターにおける研究教育と産学協同(第7セッション 教育研究指導)
- Selective and Fractional Epitaxy(Focused Session)(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 半導体ナノワイヤデバイスの新展開
- Si基板上のIII-V族ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタ応用
- 半導体ナノワイヤデバイスの新展開 : 縦型トランジスタ応用(半導体材料・デバイス)