Temperature Dependence of Si Delta-Doping on GaAs Singular and Vicinal Surfaces in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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概要
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- 1999-09-20
著者
-
福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
FUKUI Takashi
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
-
MOTOHISA Junichi
Research Center for Interface Quantum Electronics and Faculty of Engineering, Hokkaido University
-
AKABORI Masashi
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
-
TAZAKI Chiharu
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
-
Tazaki Chiharu
Research Center For Interface Quantum Electronics Hokkaido University
-
Fukui Takashi
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Motohisa Junichi
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) Hokkaido University
-
Motohisa Junichi
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 14 West 9, Kita-ku, Sapporo 060-0814, Japan
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