24aPS-42 A面サファイア基板上GaNの四光波混合分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-03-04
著者
-
足立 智
北海道大学大学院工学研究科
-
荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
戸田 泰則
北大院工
-
足立 智
北海道大学大学院工学研究院応用物理学部門
-
戸田 泰則
北海道大学 大学院工:科学技術振興機構
-
阿部 泰裕
北海道大学 大学院工
-
星野 勝之
東京大学 生産研・先端研・ナノ連携研
-
戸田 泰則
北海道大学
関連論文
- 核スピンを光で見る・操作する-半導体量子ドットの動的核偏極(最近の研究から)
- 20aHX-2 電荷密度波カイラリティの発見 : 1T-TiSe_2におけるSTM・光学測定による面内異方CDWの観測(20aHX 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- 量子ドット光デバイスと国家プロジェクト
- 榊裕之先生,平成20年度文化功労者に
- 1.総論:先端ナノフォトニクスの展開 : 量子ドットを中心にして(進化する先端フォトニックデバイス)
- 応用物理における将来ビジョンマップ : アカデミックロードマップの取り組み
- First Demonstration of Electrically Driven 1.55μm Single-Photon Generator
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- Single-photon generator for telecom applications
- Photonic Crystal Nanocavity Continuous-wave Laser Operation at Room Temperature
- 学術講演「未来社会に向けた工学の新展開〜エレクトロニクスを中心にして〜」
- Development of Electrically Driven Single-Photon Emitter at Optical Fiber Bands
- Single-Photon Generation in the 1.55-μm Optical-Fiber Band from an InAs/InP Quantum Dot
- Optical Control of Transmittance by Photo-Induced Absorption Effect in InGaN/GaN Structures (Selected Topics in Applied Physics(3)Physics of UV Materials and Devices and Their Applications)
- Observation of Light Emission at-1.5μm from InAs Quantum Dots in Photonic Crystal Microcavity
- Non-classical Photon Emission from a Single InAs/InP Quantum Dot in the 1.3-μm Optical-Fiber Band
- Differential Absorption in InGaN Multiple Quantum Wells and Epilayers Induced by Blue-Violet Laser Diode
- Lab-on-a-chip:towards the miniaturization and integration of fluorescencespectroscopy based detection method onto portable device
- 量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 〔invited〕量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 26aRH-3 ポンプ・プロープ分光でみたBi2212の超伝導状態と擬ギャップ状態における準粒子緩和(26aRH 高温超伝導(擬ギャップと超伝導ギャップ),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- 日本学術会議公開シンポジウム : 「科学技術におけるイノベーションの創出と人材育成-応用物理の目指す方向-」開催報告
- 核スピンを光で見る・操作する-半導体量子ドットの動的核偏極
- 光波混合法による窒化ガリウム薄膜での励起子間相互作用の実空間マッピング
- アカデミック・ロードマップ : 意義と経緯
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望
- 「総論:ナノテクノロジーと次世代情報通信技術>
- A-4-8 拡張成分分離型ε-フィルタの最適設計とその画像処理への応用
- 非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス測定
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 光導波路集積型マイクロディスク量子カスケードレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- FDTD法のフォトニック結晶研究への応用
- フォトニック結晶を利用した有機発光素子
- 半導体量子ドットを用いた単一光子発生技術の展開
- SC-1-2 フォトニック結晶の新しい展開 : 量子ドット・MEMS との融合
- 2-1 量子ドットを用いた量子計算(2.量子情報処理技術の新展開,進化する先端フォトニックデバイス)
- 29pYF-14 ヘテロダイン四光波混合法による量子ドットのスピン緩和(半導体スピン物性)(領域4)
- 22pPSA-68 四光波混合法による量子ドットのスピン緩和の測定
- 18pYJ-11 自己集合量子ドット列の電子スピンを用いた量子コンピューティング
- 28p-ZH-2 GaAs/AlGaAs量子井戸中のピコ秒励起子スピン緩和
- 近接場光学顕微鏡による量子ナノ構造の極微小領域光物性の観測
- 23pPSB-43 擬一次元TaS_3の光励起ダイナミクスにおける共鳴効果(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21pXQ-13 超高速時間分解分光によるNbSe_3結晶の電荷密度波相転移特性(超伝導・密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- シリコン上1.3μm量子ドットレーザ--光LSI融合システム構築に向けて
- 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 通信用フォトニック結晶デバイスと光集積回路(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- MEMS集積化フォトニック結晶導波路の作製と評価(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- MEMS-フォトニック結晶機能素子の作製方法
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- グリーンICT社会に向けたフォトニックデバイス : 量子,ナノ,光の融合(エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
- 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
- 高コンダクタンスC_薄膜トランジスタ(センサー,デバイス,一般)
- 有機トランジスタの低電圧動作・高性能化とCMOS応用
- 低電圧動作有機CMOS回路--フレキシブルディスプレイへの応用を目指して
- 有機薄膜トランジスタの低電圧動作と閾値電圧
- パリレン薄膜による超薄型有機ELデバイス
- 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高移動度有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- Alq_3型側鎖を有する可溶性高分子錯体の合成と有機EL素子への応用
- 24aPS-42 A面サファイア基板上GaNの四光波混合分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 走査型近接場光学顕微鏡による半導体量子ナノ構造の物性計測
- 単一量子ドットの近接場分光--量子ドット中の電子のゼーマン・スピン分裂を中心にして
- 26p-YC-6 磁場中の単一量子ドット分光
- Stranski-Krastanov成長モードによる量子ドットの自然形成
- 微小共振器レーザにおけるピコ秒光パルスの発生
- ハードウェアでの実装に適した非線形ディジタルフィルタ(「非線形ディジタル信号処理とその応用特集号」)
- コヒーレントフォノンの励起・制御と応用
- 特集13 : 研究解説 : 有機金属気相選択成長による量子細線・量子ドットの作製とその光物性
- 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー : 単一人工原子レーザーを中心にして
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 次世代太陽光発電の展望 : 量子ドット太陽電池を中心にして
- 量子ドット太陽電池研究の展開 (次世代エネルギーを再考する)
- C-4-1 ウェハ融着によるSi基板上1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 量子ドット太陽電池研究の展開
- 次世代超高精細映像に向けた超高速LAN-SANシステム化技術とその要素技術開発
- 通信波長帯量子ドットを用いた励起子状態のコヒーレント制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 26pXG-6 量子ドットにおける核スピン分極の光ポンピングと揺らぎの光学的検出(26pXG 領域4,領域1,領域3,領域5合同シンポジウム:核スピンエンジニアリングへの挑戦〜ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題〜,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXG-6 量子ドットにおける核スピン分極の光ポンピングと揺らぎの光学的検出(26pXG 領域4,領域1,領域3,領域5合同シンポジウム:核スピンエンジニアリングへの挑戦〜ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題〜,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 半導体における共振器量子電気力学 : 量子ドットーフォトニック結晶ナノ共振器結合系
- 量子ドットレーザの発展 : 提案から市場化までの30年