特集13 : 研究解説 : 有機金属気相選択成長による量子細線・量子ドットの作製とその光物性
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概要
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特集 量子固体エレクトロニクス半導体微細加工技術の進歩に伴い，最近量子細線，量子ドット構造が広く注目を集めている．本報告では，有機金属気相選択成長法を用いたGaAs量子細線の作製技術について議論する．われわれが作製したGaAs量子細線は，SiO2パターン上の選択成長により形成され，一辺10nm以下の三角形の断面を有す．キャリアの二次元的量子閉じ込め効果は，フォトルミネッセンスや磁気フォトルミネッセンスなどの測定によりその存在が確認された．さらに同様な手法を用いてGaAs量子ドット構造の作製も行い横寸法25nmの量子ドットを得ることができた．
- 2011-10-06
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