走査型近接場光学顕微鏡による半導体量子ナノ構造の物性計測
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2002-06-10
著者
-
荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
-
戸田 泰則
北海道大学 大学院工:科学技術振興機構
-
戸田 泰則
北海道大学
関連論文
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 超伝導デバイスを用いた光信号波形モニタリング技術の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- 20aHX-2 電荷密度波カイラリティの発見 : 1T-TiSe_2におけるSTM・光学測定による面内異方CDWの観測(20aHX 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 省電力・高性能光I/O技術開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- ダイナミックレンジ拡大波長変換器の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- 高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-24 超小型PD集積型1次元フォトニック結晶分散補償モジュール(フォトニック結晶ファイバ・素子,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-81 1次元結合欠陥型フォトニック結晶分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-1-9 フォトニック結晶の分散制御と光素子への応用
- 26aRH-3 ポンプ・プロープ分光でみたBi2212の超伝導状態と擬ギャップ状態における準粒子緩和(26aRH 高温超伝導(擬ギャップと超伝導ギャップ),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-4-29 40Gb/s 直接変調動作実現をめざした自己形成量子ドットレーザの設計
- 光波混合法による窒化ガリウム薄膜での励起子間相互作用の実空間マッピング
- 40G/100Gイーサネット標準に向けた省電力・高性能光I/O技術の開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- コヒーレント光周波数掃引用有機非線形ファイバー
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ
- 1.3μm帯フォトニック結晶ナノ共振器レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第21回)フォトニック結晶ナノ共振器を利用した光と物質の相互作用制御
- 光導波路集積型マイクロディスク量子カスケードレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- FDTD法のフォトニック結晶研究への応用
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- フォトニック結晶を利用した有機発光素子
- 半導体量子ドットを用いた単一光子発生技術の展開
- InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- SC-1-2 フォトニック結晶の新しい展開 : 量子ドット・MEMS との融合
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 近接場光学顕微鏡による量子ナノ構造の極微小領域光物性の観測
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 23pPSB-43 擬一次元TaS_3の光励起ダイナミクスにおける共鳴効果(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21pXQ-13 超高速時間分解分光によるNbSe_3結晶の電荷密度波相転移特性(超伝導・密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 通信用フォトニック結晶デバイスと光集積回路(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- MEMS集積化フォトニック結晶導波路の作製と評価(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- MEMS-フォトニック結晶機能素子の作製方法
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 低次元トポロジカル物質の光励起電子応答
- フェムト秒光渦パルスの発生と時空間特性
- トポロジーを視点とした光物性計測 (特集 知の創造から知の活用へ--北大創成科学共同研究機構)
- 24aWB-6 擬一次元電荷密度波物質TaS_3におけるコヒーレント振動の時間周波数特性(24aWB 超伝導体・強相関系・低次元物質法・新光源・新分光法,領域5(光物性))
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 高コンダクタンスC_薄膜トランジスタ(センサー,デバイス,一般)
- 有機トランジスタの低電圧動作・高性能化とCMOS応用
- 低電圧動作有機CMOS回路--フレキシブルディスプレイへの応用を目指して
- 有機薄膜トランジスタの低電圧動作と閾値電圧
- パリレン薄膜による超薄型有機ELデバイス
- 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高移動度有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- Alq_3型側鎖を有する可溶性高分子錯体の合成と有機EL素子への応用
- 24aPS-42 A面サファイア基板上GaNの四光波混合分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 走査型近接場光学顕微鏡による半導体量子ナノ構造の物性計測
- 単一量子ドットの近接場分光--量子ドット中の電子のゼーマン・スピン分裂を中心にして
- 26p-YC-6 磁場中の単一量子ドット分光
- Stranski-Krastanov成長モードによる量子ドットの自然形成
- ユビキタス情報化社会の実現に向けたナノテクノロジーの展望
- 200Kにて動作する量子ドット単一光子源
- フォトニック結晶ナノ共振器によるシリコンの発光増強
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- 半導体ナノ構造の形成技術とそのナノメートルスケール光物性
- 半導体レ-ザ-の新しい展開-ナノ構造と微小共振器を有するレ-ザ--
- 量子箱レーザの特性 : ボトルネックの問題は越えられるか
- 半導体ナノ構造の作製技術と量子化デバイスへの展開 ( ミクロを創る 2.半導体-3)
- 量子ナノ構造を有する半導体レーザー
- 電子と光子の完全制御を目指した次世代デバイス
- 特集13 : 研究解説 : 有機金属気相選択成長による量子細線・量子ドットの作製とその光物性
- 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー : 単一人工原子レーザーを中心にして
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 次世代太陽光発電の展望 : 量子ドット太陽電池を中心にして
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- MSM型ゲルマニウム受光器の差動対光受信回路への応用(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
- InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価(発光型/非発光型ディスプレイ)
- InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価
- 量子ドットレーザの発展 : 提案から市場化までの30年