InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価(発光型/非発光型ディスプレイ)
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概要
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時間分解フォトルミネッセンス(PL)および非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長励起PL法を用いて,MOCVD成長したIn_<0.16>Ga_<0.84>N/In_<0.02>_<Ga0.98>N量子井戸試料の非発光再結合準位を評価した.井戸層からの積分PL強度と再結合寿命の温度依存性から,活性化エネルギーはそれぞれ1.67,1.57meVと算出され,支配的な非発光再結合準位の存在が示唆された.また,2波長励起PLにおける規格化PL強度は,BGE強度依存性を増すにつれ井戸層領域で増加し,障壁層とGaN層では減少した.これは,少なくともBGEエネルギー(1.17eV)に対応した非発光再結合準位が禁制帯内に複数存在することを示しており,これら準位の分布とキャリア再結合過程の定量評価への糸口が得られた.
- 2013-01-17
著者
-
鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科
-
荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
-
鎌田 憲彦
埼玉大工
-
鎌田 憲彦
埼玉大 工
-
Kamata Norihiko
Atr Optical And Radio Communications Research Laboratories
-
福田 武司
埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域
-
福田 武司
埼玉大学大学院 理工学研究科
-
村越 尚輝
埼玉大学大学院理工学研究科
-
イスラム トウヒドル
埼玉大学大学院理工学研究科
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