AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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AlGaN系深紫外LEDのAlNバッファーを結合ピラー構造とすることで、貫通転位密度低減による内部量子効率(IQE)の向上、ならびに光取出し効率(LEE)の飛躍的向上が期待される。本研究では、サファイア加工基板(PSS;Patterned Sapphire Substrate)上に、「アンモニアパルス供給多段AlN成長」と横エンハンス成長を組み合わせることで、結合ピラー構造を制御よく形成することに世界初成功した。さらに、横エンハンス成長モードをコントロールし、結合ピラー構造を埋め込み、平坦なAlNテンプレートを作製した。作成したAlNテンプレート上にLEDを作製し、発光波長265nmにおいて、室温CW動作光出力5.5mWを実現した。
- 2012-11-22
著者
-
鎌田 憲彦
埼玉大学工学部
-
鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所
-
鎌田 憲彦
埼玉大工
-
鎌田 憲彦
埼玉大 工
-
Kamata Norihiko
Atr Optical And Radio Communications Research Laboratories
-
Kamata Norihiko
Department Of Functional Materials Science And Engineering Saitama University
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
-
藤川 紗千恵
独立行政法人 理化学研究所
-
平山 秀樹
独立行政法人 理化学研究所
-
鎌田 憲彦
埼玉大学工学部理工学研究科
-
富田 優志
埼玉大学工学部理工学研究科
-
水澤 克哉
埼玉大学工学部理工学研究科
-
豊田 史朗
埼玉大学工学部理工学研究科
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