MSM型ゲルマニウム受光器の差動対光受信回路への応用(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
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概要
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シリコン(Si)基板上への光電子集積技術の確立に向け,ゲルマニウム(Ge)受光器の開発とGe受光器を用いた光受信回路の検討を行った.受光器構造は,簡易な金属配線構造を持ち,高密度の光集積回路に適したMSM(Metal-Semiconductor-Metal)構造とした.上記構造で課題となる暗電流に対し,Ge受光層上にSiGe保護膜を選択エピタキシャル成長することで,暗電流の抑制を行った.更に,SiGe保護膜を適用したMSM型Ge受光器は,Si保護膜を適用した場合に比べて暗電流の素子間ばらつきが非常に小さいことを見出した.最適化した低暗電流かつ高均一なMSM型Ge受光器を光回路に応用し,低ノイズ特性に優れ,10 Gbpsでの高速動作が可能な差動対受信回路を実現した.
- 2012-12-14
著者
-
荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
藤方 潤一
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
野口 将高
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
三浦 真
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
-
藤方 潤一
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
堀川 剛
産業技術総合研究所
-
三浦 真
光電子融合基盤技術研究所
-
藤方 潤一
光電子融合基盤技術研究所
-
野口 将高
光電子融合基盤技術研究所
-
岡本 大典
光電子融合基盤技術研究所
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