C-3-34 光電子集積回路に向けたGe受光器用TIA回路の検討II(光送受信モジュール・デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-30
著者
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
-
岡本 大典
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
藤方 潤一
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
藤方 潤一
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
関連論文
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-29 40Gb/s 直接変調動作実現をめざした自己形成量子ドットレーザの設計
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 広帯域半導体光増幅器に向けたlnP上lnAs量子ドットのMOVPE成長(量子ドットの使い道)
- 量子ドット光増幅器と光スイッチ
- NETs連載講座 光デバイス 次代の光ネットを担う量子ドット・レーザと光増幅器(下)
- 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-3-68 MOS型Si光変調器の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 半導体量子ドットを用いた単一光子発生技術の展開
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- C-3-77 オンチップ光配線に向けた850nm帯用波長合分波器 2(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-76 オンチップ光配線に向けた850nm帯用波長合分波器 1(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- CI-3-5 光デバイスファウンドリーの現状と展望(CI-3.半導体製造技術の現状と今後の展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- 光インターコネクションに向けたシリコンフォトニクスデバイス集積 (特集 進化するシリコンフォトニクス)
- 招待講演 光電子融合システムに向けた高速・高密度シリコンフォトニクスデバイスの動向 (マイクロ波・ミリ波フォトニクス)
- CI-1-3 光配線応用に向けた光電子融合システム(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- C-3-59 低損失多結晶Si光導波路と光変調器への応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-63 光電子集積回路に向けたGe受光器用TIA回路の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-47 Projection MOS構造を有するSi光変調器の解析(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-34 光電子集積回路に向けたGe受光器用TIA回路の検討II(光送受信モジュール・デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-3-36 シリコンフォトニクス集積に向けたCMOS技術(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-26 コラムナ量子ドット半導体光増幅器アレイの高温・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-3-3 高密度光配線用シリコン光集積回路(CI-3.通信システム・光配線システム応用にむけた高密度集積フォトニックプラットフォーム,依頼シンポジウム)
- チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- BCI-1-2 シリコンフォトニクスによる光電子融合集積の実現と展望(BCI-1.電子・光技術の融合集積による通信デバイスの将来,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-2 シリコンフォトニクスによる光電子融合集積の実現と展望(BCI-1.電子・光技術の融合集積による通信デバイスの将来,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 次世代超高精細映像に向けた超高速LAN-SANシステム化技術とその要素技術開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,インターネットと環境・エコロジー,一般)
- C-3-37 光電子集積回路に向けたGe受光器用TIA回路の検討III(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 光電子融合システムに向けた高速・高密度シリコンフォトニクスデバイスの動向(MWP研究への期待と将来展望,一般)
- MSM型ゲルマニウム受光器の差動対光受信回路への応用 (光エレクトロニクス)
- レーザー学会産業賞を受賞して : 通信用半導体量子ドットレーザー
- トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源
- C-3-64 Si導波路集積PIN型およびショットキー型Ge受光器の検討(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-56 高密度シリコンフォトニクス回路向け集積プロセス技術(I)(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-66 単一シリコン基板上にレーザ・光分岐器・光変調器・受光器を集積したシリコン光インターポーザの12.5Gbps動作実証(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 光電子融合システムに向けた高速・高密度シリコンフォトニクスデバイスの動向
- C-3-61 シリコンフォトニクス集積回路用多チャンネル光源(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- MSM型ゲルマニウム受光器の差動対光受信回路への応用(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
- C-3-18 全ての光コンポーネントを単一シリコン基板上に集積したシリコン光インターポーザの30Tbps/cm2動作実証(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-28 Si光インタポーザの等価回路を用いた光伝送シミュレーション(C-3.光エレクトロニクス)
- シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-4-8 トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト
- チップ間光インターコネクトに向けたSi基板上ハイブリッド集積光源の低消費電力動作実証(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- チップ間光インターコネクトに向けたSi基板上ハイブリッド集積光源の低消費電力動作実証(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- チップ間光インターコネクトに向けたSi基板上ハイブリッド集積光源の低消費電力動作実証(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- チップ間光インターコネクトに向けたSi基板上ハイブリッド集積光源の低消費電力動作実証(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源
- CI-2-2 チップ間光配線に向けたシリコンナノフォトニックデバイス集積技術(CI-2.マイクロ・ナノフォトニクス集積および実装技術とその展開,ソサイエティ企画)
- C-3-81 量子ドットレーザ搭載によるシリコン光インターポーザの高温リンク実証(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-80 量子ドットアレイレーザを実装したSi基板上ハイブリッド集積光源(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-71 大容量チップ間光インターコネクション向けハイブリッド集積光源の1200チャンネル動作(光周波数・位相制御,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)