シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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情報通信産業においては、今後も情報の伝送・処理性能の飛躍的な伸びが求められているが、その実現に向けて最も深刻な課題の一つにチップ間インターコネクトの帯域幅のボトルネックがある。この課題の解決策として、我々は光電子融合システムを提案している。この光電子融合システムの実現性を検証するため、単一シリコン基板上にレーザアレイ、スポットサイズ変換器、光分岐器、光変調器アレイ、受光器アレイ、光導波路アレイを集積したシリコン光インターポーザを試作し、12.5Gbpsのエラーフリー伝送と6.6Tbps/cm2の高伝送密度を実証した。この技術は将来、チップ間インターコネクトの帯域幅ボトルネックを解消すると信じている。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-17
著者
-
賣野 豊
NECシステムプラットフォーム研究所
-
中村 隆宏
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
-
中村 隆宏
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
堀川 剛
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:独立行政法人産業技術総合研究所
-
賣野 豊
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
賣野 豊
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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